[实用新型]一种陶瓷溅射靶

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种磁控溅射靶，具体涉及一种采用陶瓷制成的溅射靶。

背景技术

目前，磁控溅射技术已成为工业化镀膜制备各种功能薄膜及器件的常规手段。

溅射镀膜是由于荷能离子轰击靶材的溅射效应，使靶面的原子(或原子团或分子)逸出后，沉积到基底上的过程。

在溅射过程中，靶材受荷能离子轰击吸收能量，其温度会逐渐升高。为降低靶材的温升，通常，将靶材与铜及其合金背板连接的一起，通过冷却背板以降低靶材的温升。

在透明导电薄膜的制备中，采用氧化物烧结陶瓷靶溅射镀膜的工艺性比采用金属靶反应溅射镀膜优越。

靶材与铜背板的连接可通过耐热导电树脂胶或低熔点钎焊合金连接，其中最为常用的是纯In或Sn-In合金钎焊的方法。如JP 特开平7-48667。

但是，用纯In或Sn-In合金钎焊的方法，有无法满足透明导电玻璃大型化而要求靶材的大面积、高厚度化的问题。靶材面积大会因为自身翘曲从背板上剥落；靶材厚度增加使其热阻变大，在较大靶功率密度的生产条件下，产生热量堆积会使低熔点的纯In或Sn-In合金钎焊结合强度不够，导致靶材剥落。此外，采用稀缺金属In的含量均大于55%以上，存在着成本较高的问题。

针对上述问题，CN 1880492A提出采用Sn-Zn合金作为钎料连接靶材与背板，但是，该方法仅适合于连接以金属或合金构成的靶材。对于陶瓷靶，由于陶瓷材料的配位键主要有离子键和共价键两种，都非常稳定，很难被熔化的金属所润湿；此外，Sn-Zn合金中的Zn很容易被氧化，从而使合金的润湿性下降。

为提高靶材与背板连接时的润湿性要求，可采用在靶材的连接面上溅射或蒸镀Cu或Ni-Cu合金膜的方法。但该方法因成膜设备较贵，致使生产成本高，同时工艺复杂，存在生产效率低下的问题。

发明内容

本实用新型的目的是要提供一种陶瓷溅射靶。

本实用新型的目的是这样实现的：一种陶瓷溅射靶，在陶瓷靶材一侧设有烧渗银层，背板层通过钎焊合金层以及烧渗银层与陶瓷靶材连接。所述的陶瓷靶材为氧化物烧结陶瓷。氧化物烧结陶瓷优选AZO靶材或ITO靶材。所述的钎焊合金层是以Sn－Zn－In－Bi四元合金。所述的钎焊合金层是以Sn－Zn－In三元合金。

本实用新型提供的陶瓷溅射靶，以氧化物烧结陶瓷为靶材，采用Sn－Zn－In－Bi四元合金或Sn－Zn－In三元合金为钎焊材料，陶瓷靶材连接面中温预烧渗极薄的银过渡层，实施陶瓷靶材与Cu或Cu合金背板的连接，能够低成本、高效率的生产，改善钎料润湿性，提高靶材与铜背板的连接性能，实现稳定溅射的溅射靶。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

图1为本实用新型靶材结构图。

具体实施方式

一种陶瓷溅射靶，在陶瓷靶材10一侧设有烧渗银层11，背板层20通过钎焊合金层30以及烧渗银层11与陶瓷靶材10连接。

所述的陶瓷靶材10为氧化物烧结陶瓷靶材，优选AZO靶材或ITO靶材。

所述的钎焊合金层30是Sn－Zn－In－Bi四元合金。

所述的钎焊合金层30是Sn－Zn－In三元合金。