[实用新型]一种扩散炉管DCE吹扫的进气路装置有效
申请号: | 201120341321.X | 申请日: | 2011-09-13 |
公开(公告)号: | CN202230992U | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 赵之俊;刘明;孔德浩;丁乙人 | 申请(专利权)人: | 康可电子(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C30B31/16 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 陈忠辉 |
地址: | 214142 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扩散 炉管 dce 进气路 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体加工中的扩散设备,尤其针对扩散炉管在使用DCE(即二氯乙烯)吹扫过程中安全性的改善,即气路改善方面。
背景技术
在半导体分立器件生产过程中,很多关键工序都需要使用扩散炉。这其中扩散炉管中干净、无金属杂质至关重要,直接关系到半导体产品的良率。因此扩散炉管需要定期进行DCE吹扫清洁,而DCE属于易燃易爆气体,在实际使用中易燃并已有燃烧的记录,存在一定的安全隐患。为此势必对DCE吹扫的气路加以改善,使其保持气流平稳,防止发生意外燃烧或爆炸。
发明内容
鉴于上述现有技术存在的缺陷,本实用新型的目的是提出一种扩散炉管DCE吹扫的进气路装置,消除扩散炉管在使用DCE吹扫过程中的安全隐患。
本发明的目的,将通过以下技术方案得以实现:
一种扩散炉管DCE吹扫的进气路装置,其特征在于:所述进气路装置具有一个两位三通气动阀,所述两位三通气动阀的入口接氮气源,且其出口具有在常开端和常闭端相切换的两条气路,两条气路分别各自连接一个单向阀,其中所述常开端的单向阀另一端与排风装置相接;所述常闭端的单向阀另一端连入DCE鼓泡装置的进气口,并且所述DCE鼓泡装置的排气口通过第三单向阀与扩散炉管相连通。
进一步地,所述扩散炉管为石英炉管。
本实用新型DCE气路改进的应用,其突出效果为能够消除扩散炉管使用DCE吹扫过程中的着火隐患,保证低压氮气的气流平稳,提高了工艺设备的安全可靠性。
以下便结合实施例附图,对本发明的具体实施方式作进一步的详述,以使本发明技术方案更易于理解、掌握。
附图说明
图1是本实用新型扩散炉管DCE吹扫进气路装置的结构改善示意图。
具体实施方式
本实用新型为了消除扩散炉管在使用DCE吹扫过程中的安全隐患,对设备原来的气路进行改造,保证气流的平稳,最终实现安全可靠的目的。
为达到上述效果,如图1所示的本实用新型进气路装置具有一个两位三通气动阀1,该两位三通气动阀1的入口COM接氮气源,且其出口具有在常开端NO和常闭端NC相切换的两条气路,常开端NO的气路连接一个单向阀21,常闭端NC的气路连接一个单向阀22,其中该常开端的单向阀21另一端与排风装置3相接;且常闭端的单向阀22另一端连入DCE鼓泡装置4的进气口,并且该DCE鼓泡装置4的排气口通过第三单向阀23与扩散炉管5相连通。
其中,为改善该扩散炉的耐用性,本实用新型选择在扩散炉管口外接石英炉管,或直接采用石英材质的扩散炉管。
在实际操作过程中,低压氮气进入两位三通气动阀1的公共端COM,首先从三通阀的常开端NO出,经单向阀21进入排风口3;待低压氮气气流平稳后,工艺程序再驱动两位三通气动阀1由常开端NO切换到常闭端NC,低压氮气改从常闭端NC出后,经单向阀22进入DCE鼓泡装置4,并携带其中的DCE气体从排气口排出,最后经单向阀23进入石英炉管5,对扩散炉管进行DCE吹扫。
通过以上装置结构及工作过程的简述可见本实用新型的突出效果:能够消除扩散炉管使用DCE吹扫过程中的着火隐患,保证低压氮气的气流平稳,提高了工艺设备的安全可靠性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造