[实用新型]一种与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风

权利要求书

1. 一种与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风，包括背极板硅基（1）及位于所述背极板硅基（1）上方振膜硅基（9）；其特征是：所述背极板硅基（1）上对应于与振膜硅基（9）相连的另一侧设有CMOS电路（2），背极板硅基（1）对应设置CMOS电路（2）的表面上淀积有电绝缘层，所述电绝缘层上设有金属键合层（7），所述金属键合层（7）与CMOS电路（2）的连接端电连接；背极板硅基（1）上设有若干声孔（18），所述声孔（18）位于振膜硅基（9）的正下方，且声孔（18）从金属键合层（7）的表面向下延伸贯通背极板硅基（1），背极板硅基（1）对应于设置声孔（18）表面的金属键合层（7）形成下电极（6）；振膜硅基（9）对应于与背极板硅基（1）相连的表面设有导电振膜，振膜硅基（9）内设有贯通振膜硅基（9）的深坑（14），所述深坑（14）位于声孔（18）的正上方，且深坑（14）与声孔（18）对应分布；振膜硅基（9）对应于设置振膜的表面键合安装于金属键合层（7）上，导电振膜通过金属键合层（7）与CMOS电路（2）电连接，导电振膜与下电极（6）间隙配合。

2.根据权利要求1所述与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风，其特征是：所述声孔（18）的孔径为50~100μm；所述背极板硅基（1）的厚度为300~500μm。

3.根据权利要求1所述与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风，其特征是：所述电绝缘层包括位于背极板硅基（1）表面的第一绝缘介质层（3）及位于所述第一绝缘介质层（3）上的第二绝缘介质层（4）；所述第一绝缘层（3）为氮化硅层，第二绝缘介质层（4）为二氧化硅层。

4.根据权利要求1所述与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风，其特征是： 所述CMOS电路（2）的连接端包括输入端（19）及输出端（20），所述输入端（19）邻近振膜硅基（9）；输入端（19）及输出端（20）通过电绝缘层隔离。

5.根据权利要求1所述与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风，其特征是：所述导电振膜包括生长于振膜硅基（9）上的绝缘支撑膜（11）及淀积于所述绝缘支撑膜（11）上的振膜体薄膜（12），且所述振膜体薄膜（12）通过高温退火去除残余应力。

6.根据权利要求5所述的与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风，其特征是：所述振膜体薄膜（12）的材料为导电多晶硅或单晶硅。

7.根据权利要求5所述的与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风，其特征是：所述振膜体薄膜（12）的厚度为0.7~1.2μm。