[实用新型]一种锂电池充电保护芯片有效

专利信息
申请号: 201120344084.2 申请日: 2011-09-14
公开(公告)号: CN202197099U 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 杨兴洲 申请(专利权)人: 开源集成电路(苏州)有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮;李辰
地址: 215021 江苏省苏州市工业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 锂电池 充电 保护 芯片
【说明书】:

技术领域

本申请涉及锂电池技术领域,特别是涉及一种锂电池充电保护芯片。

背景技术

锂电池充电前,需要事先测试锂电池充电保护芯片的OUT引脚输出的电压,以确保OUT引脚输出的电压在锂电池的充电电压范围内,避免锂电池在充电过程中被损坏。

目前,测试锂电池充电保护芯片的OUT引脚输出的电压的电路图请参阅图1,其中:锂电池充电保护芯片11的OUT引脚与PMIC(Power Management IC,电源管理芯片)12的ISEN引脚相连,电源13通过开关14连接到OUT引脚和ISEN引脚的连接线上。检测电阻15连接在锂电池充电保护芯片11的OUT引脚和PMIC12的VBAT引脚之间,锂电池16的正端连接检测电阻15和PMIC12的VBAT引脚的连接点,负端连接接地端。电容17和稳压管18并联连接在锂电池充电保护芯片11的OUT引脚和接地端之间,其中:稳压管18的阴极连接锂电池充电保护芯片11的OUT引脚,阳极连接接地端。

图1所示的测试电路图的原理为:开关14闭合,电源13与OUT引脚导通,测试OUT引脚输出的电压;开关14断开,电源13与OUT引脚断开连接,测试结束。但是,当电源13与OUT引脚导通时,电源13与OUT引脚之间连接的导线上寄生电感的作用,使OUT引脚产生高电压,此高电压大于预设保护电压时,损坏锂电池16。连接在OUT引脚和接地端之间的稳压管18避免OUT引脚产生高电压,从而进一步避免对锂电池16的损坏。

然而,上述测试电路图在锂电池充电保护芯片11的外部同时增加电容17和稳压管18,增加了测试成本。

实用新型内容

有鉴于此,本申请实施例公开一种锂电池充电保护芯片,以解决现有测试电路中同时增加电容和稳压管,测试成本高的问题。技术方案如下:

本申请实施例公开一种锂电池充电保护芯片,所述锂电池充电保护芯片的OUT引脚处连接有钳位电路,所述钳位电路用于在检测到所述OUT引脚输出的电压大于预设保护电压时,产生下拉电流。

优选地,所述钳位电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、与所述第一电阻具有相同阻值的第四电阻、与所述第二电阻具有相同阻值的第五电阻、至少两个二极管连接状态的第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、运算放大器和N沟道增强型MOS管;其中:

所述第一电阻和所述第二电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;

所述至少两个二极管连接状态的第一NPN型三极管的集电极相互连接,发射极连接接地端;

所述第三电阻一端连接所述至少两个第一NPN型三极管中未连接发射极的集电极相连,另一端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点;

所述第四电阻和所述第五电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;

所述第二NPN型三极管的集电极连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,基极连接集电极,发射极连接接地端;

所述运算放大器的正相输入端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点,反相输入端连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,输出端连接所述N沟道增强型MOS管的栅极;

所述N沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚,源极连接接地端。

优选地,所述钳位电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、与所述第一电阻具有相同阻值的第四电阻、与所述第二电阻具有相同阻值的第五电阻、至少两个第一二极管、第二二极管、运算放大器和N沟道增强型MOS管;其中:

所述第一电阻和所述第二电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;

所述至少两个第一二极管的阳极相互连接,阴极连接接地端;

所述第三电阻一端连接所述至少两个第一二极管的阳极,另一端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点;

所述第四电阻和所述第五电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;

所述第二二极管的阳极连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,阴极连接接地端;

所述运算放大器的正相输入端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点,反相输入端连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,输出端连接所述N沟道增强型MOS管的栅极;

所述N沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚,源极连接接地端。

优选地,所述钳位电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、与所述第一电阻具有相同阻值的第四电阻、与所述第二电阻具有相同阻值的第五电阻、至少两个二极管连接状态的第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、运算放大器和N沟道增强型MOS管;其中:

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