[实用新型]一种薄膜沉积设备和均热板有效
申请号: | 201120348642.2 | 申请日: | 2011-09-16 |
公开(公告)号: | CN202246834U | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 李晓飞;陈万海;王剑;刘远宏 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/22 | 分类号: | C23C14/22;C23C16/46 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 沉积 设备 均热 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种薄膜沉积设备和均热板。
背景技术
薄膜沉积工艺在半导体加工技术中有着举足轻重的作用。现有技术中,以PVD(Physical Vapor Deposition,物理气相沉积)设备为例,通常包括反应腔室,反应腔室内设置有加热板,加热板上设置有均热板,工艺过程中,衬底放置于均热板上,工艺气体在反应腔室中发生复杂的物理反应后在衬底上形成薄膜。为了使薄膜在衬底上的厚度均一,在薄膜沉积时,需要通过加热板为待沉积薄膜的衬底均匀加热,均热板会将来自加热板的热量均匀地传导给衬底。
但是,通常衬底的面积较均热板的面积小,沉积薄膜时,在均热板的没有被衬底覆盖的区域也会沉积上薄膜,在长期的工艺过程中,均热板会反复经历降温和升温过程。而如果均热板反复经历降温和升温过程,均热板上沉积的薄膜就会因为与均热板的材质热膨胀系数相差较大而交错受力,并因而破碎生成杂质微粒,弥漫在反应腔室中,从而对工艺质量产生不良影响。
实用新型内容
本实用新型提供了一种薄膜沉积设备和均热板,能够减少反应腔室内的杂质微粒。
为达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种薄膜沉积设备,包括反应腔室,所述反应腔室内设置有加热板,所述加热板上设置有均热板,所述均热板远离所述加热板的上表面上设置有应力缓冲层,所述应力缓冲层的热膨胀系数介于所述均热板的热膨胀系数与所述薄膜沉积设备所沉积的薄膜的热膨胀系数之间。
一种用于薄膜沉积设备的均热板,所述均热板的一侧表面上设置有应力缓冲层,所述应力缓冲层的热膨胀系数介于所述均热板的热膨胀系数与所述薄膜沉积设备所沉积的薄膜的热膨胀系数之间。
本实用新型实施例提供的薄膜沉积设备和均热板,均热板的表面设置有应力缓冲层,使原来沉积在均热板上的薄膜沉积在应力缓冲层上。应力缓冲层、均热板和薄膜在温度变化时都会伴有相应的形变,并且由于应力缓冲层的热膨胀系数介于均热板的热膨胀系数与薄膜沉积设备所沉积的薄膜的热膨胀系数之间,应力缓冲层的形变量与同样条件下的均热板的形变量相比,更接近薄膜的形变量,即薄膜与应力缓冲层的形变量的差小于薄膜与均热板的形变量的差,因而能够有效减小薄膜在反复受冷或受热过程中由于薄膜与均热板的形变量的不同而导致薄膜承受的较大应力,因此可以有效改善薄膜破碎的情况,减少薄膜沉积设备反应腔室内的杂质微粒,改善工艺质量。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的薄膜沉积设备的一种结构示意图;
图2为本实用新型实施例提供的薄膜沉积设备的另一种结构示意图;
图3为本实用新型实施例提供的薄膜沉积设备的另一种结构示意图;
图4为本实用新型实施例提供的薄膜沉积设备的另一种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示,本实用新型提供一种薄膜沉积设备,包括反应腔室1,反应腔室1内设置有加热板2,加热板2上设置有均热板3,均热板3的上表面设置有应力缓冲层31;
本实施例中,均热板3的上表面包括载片区域32和除载片区域32之外的边缘区域33,其中,载片区域32用于承载需要进行工艺加工的衬底(图中未示出),应力缓冲层31设置在边缘区域33上。需要说明是,本实用新型不限于此,应力缓冲层31可设置在均热板3整个上表面上,还可设置在边缘区域33及一部分载片区域32上;
其中,应力缓冲层31的热膨胀系数介于均热板3的热膨胀系数与薄膜沉积设备在均热板3上沉积的薄膜的热膨胀系数之间。
需要说明的是,本实用新型的实施例中,均热板3的上表面是指均热板3的远离加热板2的表面,均热板3的下表面是指均热板3的与上表面相对的、靠近加热板2的表面。
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