[实用新型]稳压二极管结构有效

专利信息
申请号: 201120349810.X 申请日: 2011-09-19
公开(公告)号: CN202259235U 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 苗任忠 申请(专利权)人: 朝阳无线电元件有限责任公司
主分类号: H01L23/06 分类号: H01L23/06;H01L29/861
代理公司: 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 代理人: 蒋常雪
地址: 122000 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 稳压二极管 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种稳压二极管结构。

背景技术

稳压二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来使用以满足较高电压的要求,通过串联就可获得更高的稳定电压。

稳压二极管的主要参数有:(1)稳定电压;(2)电压温度系数;(3)动态电阻;(4)反向电流,(5)正向电压(6)最大允许功耗。

现有的表贴塑封稳压二极管产品用于军品是有风险的。

实用新型内容

本实用新型需要解决的技术问题就在于克服现有技术的缺陷,提供一种稳压二极管结构,它以金属-陶瓷气密性封装的表贴器件外形替代同型号塑料封装外形的表贴稳压二极管产品,以实现提高表贴产品的质量等级,满足军工及高可靠产品的要求。具有通用性强、可靠性高、可以与塑封器件在印制板直接替换等特点,其典型耗散功率为300mW。

为解决上述问题,本实用新型采用如下技术方案:

本实用新型提供了一种稳压二极管结构,包括陶瓷壳体、金属盖板及安装于壳体内的3个电极片,陶瓷壳体内表面为金属层,壳体内安装有管芯,管芯用金锑合金焊料与壳体内电极片焊接,其中一个电极片与管芯通过金丝连接。

陶瓷壳体内表面金属层及电极片为先镀一层镍,再镀一层金结构。

本实用新型以金属-陶瓷气密性封装外形,替代同型号塑料封装外形的稳压二极管产品,以实现提高表贴产品的质量等级,满足军工及高可靠产品的要求(塑封外形产品不能用于军品)。具有通用性强、可靠性高、可以与塑封器件在印制板直接替换等特点,其典型耗散功率为300mW。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图2为本实用新型剖视结构示意图。

具体实施方式

如图1、图2所示,本实用新型提供了一种稳压二极管结构,包括陶瓷壳体1、金属盖板及安装于壳体内的3个电极片2,陶瓷壳体内表面为金属层3,壳体内安装有管芯4,管芯用金锑合金焊料5与壳体内电极片焊接,其中一个电极片与管芯通过金丝6连接。

陶瓷壳体内表面金属层及电极片为先镀一层镍,再镀一层金结构。

本实用新型以金属-陶瓷气密性封装外形,替代同型号塑料封装外形的稳压二极管产品,以实现提高表贴产品的质量等级,满足军工及高可靠产品的要求(塑封外形产品不能用于军品)。具有通用性强、可靠性高、可以与塑封器件在印制板直接替换等特点,其典型耗散功率为300mW。

本实用新型中,管壳及连接:管壳采用SOT-23C型金属-陶瓷外壳,壳体、焊盘及焊口表面镀金,金层厚度设计不小于1.5μm,金属陶瓷管壳的气密性满足漏率≤5×10-2pa.cm/s的要求。

芯片采用N型外延硅片平面扩散工艺,正面金属为铝,背面金属为金。芯片与底座粘接采用共晶焊接,内部连接采用金丝球焊连接,封装采用氮气保护熔封工艺。器件的工作电流可达600mA。

封装设计:盖板有金锡焊环,器件封装采用氮气保护热熔封帽。

本实用新型采用红外回流焊或气相再流焊,1.焊接前必须把器件预热到接近焊接熔点的温度,焊接温度控制在285℃以下,焊接时间不应超过10s时,焊接最高温度不应超过260℃。2.焊接完后自然冷却3min以上,不宜强制风冷。3.当环境温度超过50℃时,每升高1℃,应将其最大耗散功充降低1%。

本实用新型经科技集团、兵器部、航天部等多达10多家试用客户试用,均能满足重点可靠应用的要求。

本实用新型的参数水平符合安森美公司的产品标准。贯彻国军标生产线按照“七专”质量等级要求生产,产品质量稳定,可靠性高。可广泛用于各种电子设备、电子仪器的稳压线路中。设计的陶瓷管壳焊盘位置和大小与塑料封装相同,可以直接替换。特别适用小型化、轻量化的要求。

最后应说明的是:显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。

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