[实用新型]阵列基板及使用该阵列基板的显示面板有效
申请号: | 201120351703.0 | 申请日: | 2011-09-19 |
公开(公告)号: | CN202210521U | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 王士敏;朱泽力;商陆平;李绍宗 | 申请(专利权)人: | 深圳莱宝高科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 使用 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,包括具有形成多个收容空间的第三表面的第二透明衬底和形成于第二透明衬底上的多个薄膜晶体管、多条数据线;该薄膜晶体管包括源极和漏极,位于同一列的多个薄膜晶体管的源极与同一数据线相连,并与该多个薄膜晶体管的漏极一并收容于该收容空间内。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于:所述薄膜晶体管还包括有源层、栅极绝缘层、栅极,该有源层设置于源极、漏极以及第三表面上,并至少覆盖源极、源极和漏极之间的第三表面、漏极的一部分;栅极绝缘层设置于有源层上,栅极设置栅极绝缘层上。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于:所述阵列基板还包括多条栅极线、绝缘层,位于同一行的多个薄膜晶体管的栅极连接至同一条栅极线;该薄膜晶体管的源极和漏极沿平行于该栅极线的延伸方向间隔设置于第三表面上;该多条栅极线分别与多条数据线相互交叉定义出多个第二间隔区域,并在交叉处通过绝缘层绝缘开;绝缘层至少覆盖于该多条数据线上。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于:所述第二透明衬底还具有第二表面,绝缘层和栅极绝缘层收容于收容空间内,绝缘层的表面和栅极绝缘层的表面均与第二表面在同一平面内。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于:所述阵列基板还包括多个像素电极,像素电极形成于绝缘层和第二表面上,并覆盖第二间隔区域;栅极线设置于第二表面和绝缘层上。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于:多个像素电极、多条栅极线、多个栅极由同种透明导电材料在同一制程中一并制成;绝缘层、栅极绝缘层采用与第二透明衬底具有相同或相似光学性能的材料在同一制程中一并制成;有源层和栅极绝缘层完全覆盖源极和漏极、以及位于源极和漏极之间的第三表面;栅极绝缘层和有源层上设置有通孔,该通孔与漏极远离源极的一端对应,其被经过与栅极线平行且与第二表面垂直的平面所截的图形为等腰梯形;该像素电极通过该通孔与漏极远离源极的一端电性连接。
7.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于:所述第二表面为一平整且光滑的平面,多个第三表面均与第二表面邻接;多个像素电极、多条栅极线、多个栅极由同种透明导电材料在同一制程中一并制成,其表面位于一与第二表面平行的平面内;绝缘层、栅极绝缘层采用与第二透明衬底具有相同或相似光学性能的材料在同一制程中一并制成;漏极的一端延伸至第二表面,其端面与第二表面位于同一平面上;多个像素电极通过该端面与漏极电性连接;像素电极在第二表面上的投影与数据线在第二表面上的投影具有部分重合;多条栅极线之间相互平行,且任意两条栅极线之间具有相同的间距;多条数据线之间相互平行,且任意两条数据线之间具有相同的间距。
8.一种使用如权利要求4至7中任意一种所述阵列基板的显示面板,其包括彩膜基板、阵列基板、功能层,彩膜基板与阵列基板相对设置,且两者之间具有一间隔,用于收容该功能层;彩膜基板包括具有第一表面的第一透明衬底、形成于第一表面上的黑色矩阵、彩色膜层、公共电极层,第一表面与第二表面平行间隔设置,黑色矩阵在第一表面上定义出多个第一间隔区域,多个第一间隔区域分别与多个第二间隔区域一一对应,彩色膜层形成于第一间隔区域所在的第一表面上,公共电极层覆盖于彩色膜层和黑色矩阵上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的