[实用新型]智能功率模块

权利要求书

1.一种智能功率模块，包括第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第一绝缘栅双极型功率管（IGBT1）及第二绝缘栅双极型功率管（IGBT2）；其中所述第一电阻（R1）的一端接高压侧驱动信号HO端，所述第一电阻（R1）的另一端连接第一绝缘栅双极型功率管（IGBT1）的栅极，所述第一绝缘栅双极型功率管（IGBT1）的射极接第二绝缘栅双极型功率管（IGBT2）的集电极，第一绝缘栅双极型功率管（IGBT1）的集电极接高压端P；所述第二绝缘栅双极型功率管（IGBT2）的射极通过第三电阻（R3）接地；所述第二电阻（R2）的一端接低压侧驱动信号LO端，第二电阻（R2）的另一端接第二绝缘栅双极型功率管（IGBT2）的栅极；其特征在于还包括第一反向放电电路（1）及第二反向放电电路（2），其中所述第一反向放电电路（1）的输入端接第一绝缘栅双极型功率管（IGBT1）的栅极，第一反向放电电路（1）的输出端接第一绝缘栅双极型功率管（IGBT1）的射极，第一反向放电电路（1）又一端接高压端P；第二反向放电电路（2）的输入端接第二绝缘栅双极型功率管（IGBT2）的栅极，第二反向放电电路（2）的输出端接第一绝缘栅双极型功率管（IGBT1）的射极，第二反向放电电路（2）又一端接第二绝缘栅双极型功率管（IGBT2）的集电极。

2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于所述第一反向放电电路（1）包括第一非门（T1）、第二非门（T2）、场效应管（DMOS）、第四电阻（R4）、第五电阻（R5）、第六电阻（R6）及第三高压二极管（D3）；其中所述第一非门（T1）及第二非门（T2）互相串联，第一非门（T1）与第二非门（T2）串联电路的输入接第一绝缘栅双极型功率管（IGBT1）的栅极，输出端接场效应管（DMOS）的栅极，场效应管（DMOS）的漏极通过第四电阻（R4）接高压端P，场效应管（DMOS）的源极通过第六电阻（R6）接第一绝缘栅双极型功率管（IGBT1）的射极；所述第三高压二极管（D3）与第五电阻（R5）串联，第三二极管（D3）与第五电阻（R5）串联电路的一端接场效应管（DMOS）的源极，另一端接高压端P。

3.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于所述第一反向放电电路（1）及第二反向放电电路（2）的结构相同。