[实用新型]一种带隙基准电压源

权利要求书

1.一种带隙基准电压源，包括启动电路，PTAT电流产生电路和基准电压产生电路，其中，所述启动电路分别与PTAT电流产生电路和基准电压产生电路连接，PTAT电流产生电路和基准电压产生电路连接，基准电压产生电路的输出作为所述带隙基准电压源的输出，其特征在于，

所述启动电路包括脉冲产生单元、PMOS管MP1和MP6、NMOS管MN1和MN2、电阻R3、电容C1，脉冲产生单元根据外部的使能信号产生一个上升沿的单脉冲信号，具体连接关系是：脉冲产生单元的输出与MN1的栅极连接，MN1的源极和衬底均接地，MP1的源极和衬底均接外部电源，MP1的漏极接MN1的漏极，MP6的栅极接MP1的漏极，MP6的源极接R3的一端，R3的另一端接MP1的栅极，MP6的衬底接电源，MN2的栅极接外部的使能信号，MN2的漏极接MP6的漏极，MN2的源极和衬底均接地，电容C1的一端接MN1的漏极，C1的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的带隙基准电压源，其特征在于，所述的脉冲产生单元包括反相器INV1、INV2、INV3，异或门XOR，与非门NAND，电容C0，具体连接关系是：反相器INV1的输入端接外部的使能信号，反相器INV2的输入接反相器INV1的输出端，XOR的第一输入端接外部的使能信号，第二输入端接反相器INV2的输出端，与非门NAND的第一输入端外部的使能信号，第二输入端接异或门XOR的输出端，反相器INV3的输入端接与非门NAND的输出端，反相器INV3的输出作为脉冲产生单元的输出，电容C0的一端接反相器INV1的输出，另一端接地。

3.根据权利要求2所述的带隙基准电压源，其特征在于，所述的PTAT电流产生电路包括PMOS管MP2、MP3、MP4，NMOS管MN3、MN4、MN5，三极管Q1、Q2、Q4，电阻R1和电容C2，具体连接关系是：PMOS管MP2和MP3的源极和衬底均接外部电源，MP2的栅极接MP3的栅极，MP3的栅极接所述启动电路中MP1的栅极，MN3的栅极和漏极短接，MN3的漏极接MP2的漏极，MN4的栅极接MP3的栅极，MN4的漏极接MP3的漏极，MN3和MN4的衬底均接地，Q1、Q2、Q4的基极和集电极均接地，Q1的发射极接电阻R1的一端，R1的另一端接MN3的源极，Q2的发射极接MN4的源极，电容C2的一端接MN4的漏极，C2的另一端接地，MP4的栅极接MP2的栅极，MP4的源极和衬底接外部电源，MN5的漏极接MP4的漏极，MN5的栅极接MN4的漏极，MN5的衬底接地，Q4的发射极接MN5的源极，MP2的栅极作为PTAT电流产生电路的输出。

4.根据权利要求2或3所述的带隙基准电压源，其特征在于，所述基准电压产生电路包括PMOS管MP5，电阻R2，三极管Q3和电容C3，具体连接关系是：MP5的栅极接所述PTAT电流产生电路的输出，MP5的源极和衬底均接外部电源，Q3的基极和集电极均接地，电阻R2的一端接Q3的发射极，另一端接MP5的漏极，电容C3的一端接MP5的漏极，C3的另一端接地，MP5的漏极作为基准电压产生电路的输出，同时作为所述带隙基准电压源的输出。

5.根据权利要求4所述的带隙基准电压源，其特征在于，所述带隙基准电压源还包括过冲泄流电路，其中，过冲泄流电路包括反相器INV4和NMOS管MN6，具体连接关系是：反相器INV4的输入接所述启动电路中MN1的漏极，MN6的栅极接反相器INV4的输出，MN6的源极和衬底均接地，MN6的漏极接所述基准电压产生电路的输出。