[实用新型]多频带耦合电路有效
申请号: | 201120355257.0 | 申请日: | 2011-09-19 |
公开(公告)号: | CN202334489U | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | C·拉波特;H·埃泽迪纳 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(图尔)公司 |
主分类号: | H03K19/14 | 分类号: | H03K19/14 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 频带 耦合 电路 | ||
1.一种多频带耦合电路,其特征在于,包括:
数目(n)等于频带数目的多个路径,每个路径具有第一端子(INi)和第二端子(OUTi);
第三端子(CPLD)和第四端子(ISO);
数目(n)等于所述路径的数目的多个分布式耦合器(31i),所有耦合器均相同并且根据最高频带而制定尺寸,并且每个耦合器包括在连接到相关的路径的所述第一端子和所述第二端子的第一端口和第二端口(INi,OUTi)之间的第一导电线路(321),以及耦合到第三端口和第四端口(CPLDi,ISOi)之间的第一个的第二导电线路(322,323);
在所述耦合器的所述第三端口(CPLDi)与所述电路的所述第三端子之间的衰减器(5)的第一集合;以及
在所述耦合器的所述第四端口(ISOi)与所述电路的所述第四端子之间的滤波器(42i;48i;49i)阵列(4)。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,进一步包括与所述滤波器阵列(42i;48i;49i)相关联的衰减器(44i)的第二集合。
3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述阵列(4)包括,对于每个路径(i)而言,与衰减器(44i)串联的滤波器(42i),其尺寸被制定为让所述相关的路径的所述频带通过。
4.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述阵列(4)包括:
对于除了最后一个路径之外的每个路径而言,与衰减器(44i)串联的、针对当前路径和较低排序的路径的频率的低通滤波器(48i),针对第一路径的该串联结合连接到所述电路的所述第四端子(ISO);以及
对于除了所述第一路径之外的每个路径而言,连接到较低排序的路径的低通滤波器的、针对当前路径和较高排序的路径的频率的 高通滤波器(49i)。
5.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述滤波器(42i)和所述衰减器(44i)根据以下关系制定尺寸:
在频带i中的隔离Ii等于路径i的耦合器的隔离IBi加上由路径i的衰减器(44i)提供的衰减Atti,即,Ii=IBi+Atti;
在频带i中的方向性对应于路径i的耦合器的耦合因子CBi减去如上计算的在频带i中的隔离Ii,并且所述方向性大于或者等于针对所有路径所期望的最小方向性DIR,即,CBi-Ii≥DIR。
6.根据权利要求3和5所述的电路,其特征在于,所述滤波器(42i)和所述衰减器(44i)进一步通过考虑以下事实而制定尺寸:耦合到路径i的耦合器的第二端口的天线在另一路径j的频带中的耦合对应于连接到所述路径i和路径j的耦合器的第二端口的天线之间的耦合Xij、路径j的耦合器(31j)在频带i中的耦合因子CjBi、由路径j的滤波器(42j)在频带i中引入的衰减AFjBi以及由路径j的衰减器(44j)引入的衰减Attj的总和,即,Xij+CjBi+AFjBi+Attj,并且耦合到路径i的耦合器的第二端口的天线在另一路径j的频带中的耦合小于或者等于在频带i中的隔离Ii。
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