[实用新型]硅晶块夹具载台有效
申请号: | 201120357190.4 | 申请日: | 2011-09-22 |
公开(公告)号: | CN202240511U | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 林成翰 | 申请(专利权)人: | 威全机械工业股份有限公司 |
主分类号: | B23Q3/00 | 分类号: | B23Q3/00;B23D55/04 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所 11301 | 代理人: | 刘祖芬 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅晶块 夹具 | ||
技术领域
本实用新型主要是揭示一种夹具载台,尤指一种切割硅晶块时夹持硅晶块的夹具载台。
背景技术
近年来,因石油枯竭、全球暖化而使得替代能源的发展日益迫切。而在替代能源中,太阳能具备解决高油价问题的功能,又可达到环保、节能的效果。
由于太阳能电池的需求快速增长,制造厂商势必持续增购生产设备,扩充产能以应付快速成长的市场需求。在多晶硅太阳能电池的制造流程中,首先将一定纯度的硅材融化后再结晶成四方形的大硅晶锭(ingot),此过程由于类似金属的铸造过程,因此硅晶锭也被称为铸锭。然后,此硅晶锭经由切割而形成长方形硅晶块(brick),切割方法目前多以带锯(Band saw)作为切割工具(也有用外径锯(OD saw))。
而硅晶块经过修面、修边处理后,再以带锯(Band saw)切割机将硅晶块切割成芯片(wafer)。这些芯片再经过其它的扩散制程、镀膜制程、网印制程等便可制作成太阳能电池。
然而,由于硅晶块受到带锯切割时会被横向带动,因此现有的硅晶块切割固定装置皆为在硅晶块的侧边夹持固定,避免硅晶块受到带锯切割时被横向带动,造成切割硅晶锭的效率降低。
但是,实际上硅晶锭受到带锯切割时,仍然会产生细微的振动,此时纵向的固定显出其重要性。而目前的硅晶块固定装置并没有提供硅晶块纵向的固定方式。
于是有人发明了具有纵向固定功能的硅晶块固定装置,但是仍与传统的硅晶块固定装置侧边固定方法相同,均为使用螺丝配合连接的方式,当切割过程结束需要将硅晶块重新调整时,需要将螺丝重复取下并连接。此种固定方式运用在切割过程中仍然是相当的不便。导致切割效率大为降低。
有鉴于现有的硅晶块固定装置导致切割效率尚有可改进之处,本实用新型的目的在于提供一种硅晶块夹具载台,其可使硅晶块具有双轴向的定位功能并且能快速释放或定位,有利于更换新的硅晶块进行切割,进而提高硅晶块的切割效率。
为了解决上述的问题,本发明人乃致力于设计出一种能够克服先前技术问题点的硅晶块夹具载台。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种硅晶块夹具载台,在硅晶块被切割时,不仅可以横向固定硅晶块,还可以纵向固定硅晶块,且可方便快速地对硅晶块的位置进行重新调整。
为此,本实用新型所提供的一种硅晶块夹具载台,包括:
一个本体,具有一个第一面与一个第二面,该第一面与该第二面分别位于该本体相反的一端,该本体由该第一面延伸至该第二面穿设两个第一导孔;
一个纵向固定装置,该纵向固定装置组设于该本体,该纵向固定装置具有一个支撑架、一个连动件与一个定位件,该支撑架组设于该本体,该连动件枢接于该支撑架,该连动件一端组设一个卡勾件,该定位件组设于该本体相反于该支撑架的一面,该定位件组设一个勾扣件;
两个导柱,该两导柱分别穿设该本体的第一导孔;
两个横向固定装置,该横向固定装置穿设两个第二导孔,该横向固定装置的两个第二导孔与该本体的两个第一导孔相对应,该横向固定装置的两个第二导孔穿设该两导柱,该横向固定装置横向穿设一个定位螺孔,该定位螺孔与该第二导孔相连通,该定位螺孔与一个定位螺件螺合,该定位螺件能够通过与该定位螺孔的螺合选择性抵顶或离开该导柱,该横向固定装置两端分别纵向延伸形成一个夹持部,该两夹持部穿设数个夹持螺孔,夹持螺孔分别螺合数个夹持调整件,该夹持调整件一端设有一个夹持垫;该两导柱分别穿设该本体的第一导孔与该横向固定装置的第二导孔,该横向固定装置分别夹持于硅晶块的侧边,通过该夹持调整件与该夹持螺孔的螺合来调整该夹持调整件与硅晶块的相对距离,该夹持部的夹持垫能够顶靠于硅晶块,该横向固定装置能够横向固定硅晶块;
该纵向固定装置能够在第一状态与第二状态之间变换,当该纵向固定装置位于第一状态时,该连动件的卡勾件卡勾于该勾扣件内,使硅晶块位于该连动件与该本体及该两横向固定装置之间,使该纵向固定装置能够纵向固定硅晶块,并进行硅晶块的切割,使用者能够纵向拉抬该连动件,使该勾扣件相对该定位件枢转,该连动件的卡勾件脱离该勾扣件,此时该连动件能够相对该支撑架枢转,使该纵向固定装置位于第二状态。
承上所述,其中,该本体具有一个顶面与一个底面,该本体于该顶面组设数个底垫,该连动件于朝向该本体的顶面的一面组设一个顶垫,该纵向固定装置位于第一状态时,硅晶块位于该顶垫与该底垫之间。
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