[实用新型]串联式突波抑制过载保护优化结构

权利要求书

1.一种串联式突波抑制过载保护优化结构，其特征在于，包括：

一输入端；

一输出端；以及，

一多个突波抑制单元，串设于该输入端与该输出端之间，该每一突波抑制单元至少由两个平行电感，及该电感接脚端上所连接的多只具有串联保险丝过载保护的突波吸收元件所构成。

2.如权利要求1所述串联式突波抑制过载保护优化结构，其特征在于，所述的保险丝为温度保险丝。

3.如权利要求2所述串联式突波抑制过载保护优化结构，其特征在于，所述的保险丝与所述的突波吸收元件，为一单颗整合封装具有温度保险丝的金属氧化变阻器TMOV元件。

4.如权利要求2所述串联式突波抑制过载保护优化结构，其特征在于，所述的保险丝与所述的突波吸收元件，为一单独的金属氧化变阻器MOV元件，并在前方串接另一单独的温度保险丝所构成。

5.如权利要求1、2、3或4所述串联式突波抑制过载保护优化结构，其特征在于，设有两个串接的突波抑制单元，进一步设有地线，该前级突波抑制单元设有三只前述具有串联保险丝过载保护突波吸收元件，接在地线与该前述两个平行电感后接脚端之间，该三只保险丝不串入主回路中；而该后级突波抑制单元设有三只前述具有串联保险丝过载保护突波吸收元件，接在前述两个平行电感后接脚端与两条供电主回路火线L、零线N之间，该突波抑制单元的每一保险丝两端，各串入一条主回路；两个保险丝串入主回路火线L，另一个保险丝串入主回路零线N，或两个保险丝串入主回路零线N，另一个保险丝串入主回路火线L。

6.如权利要求5所述串联式突波抑制过载保护优化结构，其特征在于，在所述输入端进一步设有一突波相位修正补偿回路接在所述的主回路火线、零线之间，该突波相位修正补偿回路包括一桥式二极管、后接于该桥式二极管的多个被动元件电容及齐纳二极管、连接于该桥式二极管与该电阻电容之间的一MOSFET场效电晶体、连接于该齐纳二极管的一调整脉波旁路相位的电感及连接于该调整脉波旁路相位的电感的一SCR矽控整流器，通过该SCR矽控整流器动作对该多个电容充电，该多个电容一端连接该MOSFET场效电晶体，该MOSFET场效电晶体启动时造成短路使该电容的电荷产生强力释放。

7.如权利要求5所述串联式突波抑制过载保护优化结构，其特征在于，其进一步配设有过载自动保护单元，具有一串设有保险丝的旁接电路，该保险丝后具有一分路并接所述输入端的火线L主回路，一继电器回路其切换接点设在该旁接电路与所述输出端之间，所述输出端在切换接点前设有负载平衡电阻，以及，一过电流电子侦测板其上设有状态指示灯，该过电流电子侦测板一端连接前述继电器回路，另端连接前述负载平衡电阻以取得采样电流，该过电流电子侦测板内设有放大比较电路、信号整流电路、功率放大I C电路，以及一可变电阻以调整信号的放大率，设定过载电流的动作点。

8.如权利要求7所述的串联式突波抑制过载保护优化结构，其特征在于，所述的继电器回路的切换接点与所述的输出端之间串设有一CHOKE扼流线圈，以提供多一层的杂讯消除。