[实用新型]放大电路

说明书

技术领域

本实用新型一般涉及电子电路，并且具体涉及用于音频系统中的放大电路。

背景技术

很多音频放大电路在其电源波动时会产生听得见的声音。例如，当放大电路初始通电时，电源中的改变可能在该放大电路的输出节点引入噪声电压。该噪声电压将通过耦接到输出节点的负载转化成声音，其通常表现为噪音。因为该噪音对于使用者来说是干扰，因此需要消除或者至少部分地降低该噪音。

图1示出了一种传统的音频放大电路10。放大电路10由正电源+V_supply和负电源-V_supply供电，其配置成提供对称的电源以用于抑制噪声。具体地，音频放大电路10包括运算放大器11，其具有非倒相输入节点12、倒相输入节点13和输出节点14。运放11的非倒相输入节点12通过输入电容16耦接至第一端点15。第一端点15配置成接收音频信号。非倒相节点12还通过第一电阻17耦接至地。运放11的倒相输入节点13通过第二电阻18耦接至地、以及通过第三电阻19耦接至输出节点14。该第二电阻18和第三电阻19作为运放11的反馈网络，其阻值的比值决定了放大电路10的放大增益。运放11的输出节点耦接到负载20，该负载20通常为扬声器，其能够根据通过其中的电流发出声音。

虽然放大电路10被这样设计以抑制噪音，但是噪音无法完全消除，特别是当放大电路10刚通电时。图2示出了图1的运放11的一个示例的输出级。如图2所示，运放包括用于输出高动态范围放大信号的输出级。该输出级包括第一PMOS晶体管21和第二PMOS晶体管22。第一PMOS晶体管21耦接于正电源+V_supply和运放的输出节点14之间，且第一PMOS晶体管21的栅配置成接收经运放的前级放大的输入信号。第二PMOS晶体管22耦接于第一PMOS晶体管21的栅和正电源+V_supply之间，其配置成控制第一PMOS晶体管21的运行。由于MOS晶体管的器件结构，第一PMOS晶体管21的栅和漏之间的寄生电容C_gd可能耦接于该放大电路中。当该放大电路初始通电时，第二PMOS晶体管22被打开，由此第二PMOS晶体管22和寄生电容C_gd形成电流路径，允许差动电流I_diff从正电源+V_supply流到输出节点14，该电流又经过负载20流至地。负载20可能响应于该差动电流I_diff而生成显著的噪声。

因此，需要提高音频放大电路的噪声性能。

实用新型内容

一方面，提供了一种电路。该电路包括第一电路模块，其具有第一输入节点、第二输入节点和输出节点，其中该第一电路模块配置成在该第一输入节点接收输入信号并且在该输出节点生成放大信号。该电路还包括第二电路模块，其耦接于参考电位线和该输出节点之间，配置成响应于第一控制信号从该输出节点吸收电流。

另一方面，提供了一种放大电路。该放大电路包括根据本实用新型的电路。

上文已经概括而非宽泛地给出了本公开内容的特征。本公开内容的附加特征将在此后描述，其形成了本实用新型权利要求的主题。本领域技术人员应当理解，可以容易地使用所公开的构思和具体实施方式，作为修改和设计其他结构或者过程的基础，以便执行与本实用新型相同的目的。本领域技术人员还应当理解，这些等同结构没有脱离所附权利要求书中记载的本实用新型的主旨和范围。

附图说明

为了更完整地理解本公开以及其优点，现在结合附图参考以下描述，其中：

图1示出了一种传统的音频放大电路10；

图2示出了图1的运算放大器11的一个示例性输出级；

图3示出了根据本实用新型的电路的一个实施例的方框图；

图4示出了图3的电路300的一个示例性的电路图；

图5示出了图3的电路300的另一个示例性的电路图；

图6示出了根据本实用新型的电路的另一个实施例的方框图；

图7示出了图6的电路600的一个示例性的电路图；

图8和9示出了图7的电路的示例性的运行。

除非指明，否则不同附图中的相应标记和符号一般表示相应的部分。绘制附图是为了清晰地示出本公开内容的实施方式的有关方面，而未必是按照比例绘制的。为了更为清晰地示出某些实施方式，在附图标记之后可能跟随有字母，其指示相同结构、材料或者过程步骤的变形。

具体实施方式