[实用新型]无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构

权利要求书

1.一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构，包括已经设置有芯片内部钝化层（2）、芯片内部金属层（3）及感光区（4）的芯片本体（1），其特征在于：在芯片本体（1）的上表面设置隔离层（5），隔离层（5）不覆盖或者覆盖于芯片感光区（4）；在隔离层（5）上设置透光盖板（6），在隔离层（5）不覆盖于芯片感光区（4）时，透光盖板6、隔离层5及芯片本体1之间形成空腔7；在芯片本体（1）上形成硅沟槽（8），且硅沟槽（8）底部直接停止于芯片内部钝化层（2）的下表面，使芯片内部钝化层（2）下表面裸露出来；在芯片本体（1）下表面、硅沟槽（8）侧壁及裸露出的芯片内部钝化层（2）的下表面选择性的设置绝缘层（9）；在芯片内部钝化层（2）上形成盲孔（10），且盲孔（10）停止于芯片内部金属层（3）表面；在绝缘层（9）表面及盲孔（10）内选择性的形成金属线路层（11）；在绝缘层（9）及金属线路层（11）上选择性的设置线路保护层（12）；在金属线路层（11）露出线路保护层（12）的地方设置焊球（13）。

2.根据权利要求1所述的一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构，其特征在于：所述绝缘层（9）在需要互联处的预留开口。

3.根据权利要求2所述的一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构，其特征在于：所述互联处的预留开口与盲孔（10）重合。

4.根据权利要求2所述的一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构，其特征在于：所述互联处的预留开口尺寸大于盲孔（10）尺寸。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构，其特征在于：所述隔离层（5）覆盖感光区（4）时，隔离层（5）选用透光材料。

6.根据权利要求1或2或3或4所述的一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构，其特征在于：所述芯片内部钝化层（2）及芯片内部金属层（3）是多层，该封装结构中盲孔（10）形成于第一层芯片内部钝化层、并停止于与第一芯片内部钝化层相邻的芯片内部金属层上。