[实用新型]等离子体反应器

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种等离子体反应器。 

背景技术

随着半导体技术的飞速发展，半导体器件特征尺寸的显著减少，相应地也对芯片的制造工艺提出了更高的要求。当前，半导体制程中，由于等离子体可以提供发生在晶圆表面的气体反应所需的大部分能量，而被广泛应用于集成电路制造的各个步骤。等离子体是一种中性、高能量及离子化的气体，在一个有限的反应腔室内，利用强直流或交流电磁场或是用某些电子源轰击气体原子都会导致气体原子的离子化。等离子体的应用场合有很多，例如，在高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD)中，利用等离子体激发反应气体来淀积薄膜；此外，等离子体的另一个应用是通过等离子体来进行刻蚀工艺，即，选择性地去除金属或薄膜材料的一部分。 

请参阅图1，图1所示是现有的等离子体反应器的结构示意图。由图1可见，现有的等离子体反应器，包括：上部电极101、下部电极102和电源103，所述下部电极102与所述电源103连接，所述下部电极102用于承载晶圆(图1中未示意)，所述上部电极101和下部电极102都是平面电极，且相互平行，在所述上部电极101和所述下部电极102之间的间隔空间内可以形成使所述晶圆进行等离子体反应的等离子体场104。 

由于所述上部电极101和下部电极102都是平面电极，且相互平行， 使得上部电极101和下部电极102之间的间隔空间内部两侧的电场比中部的电场弱，从而使得晶圆边缘上方的等离子体密度比晶圆中部上方的等离子体密度低，致使晶圆各个部位的等离子体反应不均匀，影响产品良率。 

因此，如何提供一种可以提高等离子体反应均匀性的等离子体反应器是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供等离子体反应器，可以等离子体反应的均匀性。 

为了达到上述的目的，本实用新型采用如下技术方案： 

一种等离子体反应器，包括：上部电极、下部电极和电源，所述下部电极和所述电源连接，所述上部电极与所述下部电极之间形成等离子体反应腔室，所述上部电极是中部外凸的曲面体。 

优选地，在上述的等离子体反应器中，所述上部电极左右对称。 

优选地，在上述的等离子体反应器中，所述上部电极是固定式电极。 

优选地，在上述的等离子体反应器中，所述上部电极是可移动式电极。 

优选地，在上述的等离子体反应器中，所述上部电极与所述下部电极之间的最小距离大于等于所述上部电极与所述下部电极之间的最大距离的1/2。 

本实用新型的有益效果如下： 

本实用新型提供的等离子体反应器，通过将上部电极由现有的平面型式改成中部外凸的曲面型式，可以提高上部电极和下部电极之间的等 离子体反应腔室内侧部的电场强度，从而使得晶圆边缘上方的等离子体密度与晶圆中部上方的等离子体密度相当，也就是说，使得上部电极和下部电极之间各个区域的电场强度相当，从而提高晶圆各个部位的等离子体反应的均匀性，最终有效提高产品良率。 

附图说明

本实用新型的等离子体反应器由以下的实施例及附图给出。 

图1是现有的等离子体反应器的结构示意图； 

图2是本实用新型一实施例的等离子体反应器的结构示意图。 

具体实施方式

以下将对本实用新型的等离子体反应器作进一步的详细描述。 

下面将参照附图对本实用新型进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。 

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须作出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。 

为使本实用新型的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本实用 新型的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。