[实用新型]还原炉启动电源装置有效

专利信息
申请号: 201120374234.4 申请日: 2011-09-30
公开(公告)号: CN202226675U 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 陶刚义 申请(专利权)人: 江西晶大半导体材料有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 代理人: 徐光熙
地址: 330115 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 还原 启动 电源 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种多晶硅生产中还原炉启动电源装置。

背景技术

    目前原生多晶硅的生产主要还是采用改良西门子法用氢还原三氯氢硅的方式生产多晶硅。三氯氢硅还原在超低碳的不锈钢或镍基合金制成的水冷炉壁还原炉内,用氢将三氯氢硅还原成硅。炉内有不透明的石英钟罩和用细硅芯或钽管制成的发热体。细硅芯是用超纯硅在特制的硅芯炉内制成。在进行化学气相沉积之前,由于硅在常温时电阻率很高,因此硅芯必须在石英罩外用电阻加热至300℃或用几千伏的高压电启动。经过提纯的氢气在挥发器将三氯氢硅自炉底带入炉内,于1100℃左右进行还原反应,使硅沉积在发热体上。   基于上述工艺可知,多晶硅生产首先需要启动,然后再进行还原生长。目前从行业实际应用情况来看,还原生长方法的差异主要在于电气技术上,而还原启动方法的差异较大。     由于硅在常温时电阻率很高,不易导通,业内多晶硅生产厂家常采用 ①石墨加热、②等离子加热、③卤素灯加热等外加热方式,将还原炉炉温加热至300℃左右,还原电源输出中压,使硅芯导通,完成启动过程,然后继续加热进行化学气相沉积,完成还原生长。但以上启动方案或多或少存在操作麻烦、起动时间长、效率低、启动成功率低、影响硅纯度、还原设备复杂等弊端。        

 发明内容

本实用新型的目是是针对现有技术的不足,提供一种新的还原炉启动电源装置。

本实用新型的构造包括:中央控制器、手动开关、饱和电抗器、变压器、倒级开关、硅棒、变压器原边电流检测装置、变压器原边电压检测装置、硅棒电流检测装置。

手动开关、饱和电抗器、变压器、倒级开关、硅棒依次连接,手动开关与电源接通,饱和电抗器、倒级开关与中央控制器连接,变压器原边电压检测装置与变压器连接,变压器电流检测装置与手动开关和饱和电抗器的连线相接,硅棒电流检测装置与倒级开关和硅棒的连线相接。

本实用新型的有益效果是:本实用新型是采用几千伏的高压电启动方式,由于是让硅棒自身发热,从而使其发热内外上下均匀、快速,同时可缩短启动时间、提高启动效率和成功率、减小还原电气设备复杂程度。高压启动方式具有先天优势,对于高品质的多晶硅生产本实用新型是一种最优选择。

 附图说明

附图1本实用新型的方框示意图。

具体实施方式

  本实用新型由中央控制器、手动开关、饱和电抗器、变压器、倒级开关、硅棒、变压器原边电流检测装置、变压器原边电压检测装置、硅棒电流检测装置组成。

手动开关、饱和电抗器、变压器、倒级开关、硅棒依次连接,手动开关与电源接通,饱和电抗器、倒级开关与中央控制器连接,变压器原边电压检测装置与变压器连接,变压器电流检测装置与手动开关和饱和电抗器的连线相接,硅棒电流检测装置与倒级开关和硅棒的连线相接。

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