[实用新型]一种低相噪高速频率合成装置有效

专利信息
申请号: 201120375584.2 申请日: 2011-09-28
公开(公告)号: CN202364201U 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 冯晓东 申请(专利权)人: 重庆会凌电子新技术有限公司
主分类号: H03L7/185 分类号: H03L7/185
代理公司: 重庆弘旭专利代理有限责任公司 50209 代理人: 周韶红;李玉州
地址: 401336*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 低相噪 高速 频率 合成 装置
【权利要求书】:

1.一种低相噪高速频率合成装置,包括参考源电路,其特征在于:所述参考源电路经过功率分配器分别与DDS频率发生器电路和小数分频锁相环电路连接,DDS频率发生器电路的输出端连接到射频输出电路的射频输入端;小数分频锁相环电路的输出端连接到射频输出电路的本振输入端;射频输出电路的输出端输出所需射频信号。

2.如权利要求1所述的低相噪高速频率合成装置,其特征在于:所述参考源电路包括由高稳晶振产生参考信号,经第一电阻衰减器进行衰减、第一低通滤波器滤波和第一低噪声放大器放大后提供功率参考信号到功率分配器U4。

3.如权利要求1所述的低相噪高速频率合成装置,其特征在于:所述DDS频率发生器电路包括倍频电路,倍频电路之后依次连接有带通滤波器、第二低噪声放大器、DDS频率合成器、带通滤波器和第二电阻衰减器。

4.如权利要求1所述的低相噪高速频率合成装置,其特征在于:所述小数分频锁相环电路包括小数分频鉴相器,小数分频鉴相器的压控输出端依次连接环路滤波器、压控振荡器、电阻分路器,第三低噪声放大器、第三电阻衰减器、第二低通滤波器,电阻分路器的第二输出端口连接到第二电阻衰减器的输入端;第二电阻衰减器的输出端连接到小数分频鉴相器的反馈输入端。

5.如权利要求1所述的低相噪高速频率合成装置,其特征在于:所述射频输出电路包括混频器,混频器的中频输出端连接到第一单刀N掷开关的输入端;第一单刀N掷开关的输出端连接到带通滤波器组的输入端;带通滤波器组输出端连接到第二单刀N掷开关的输入端;第二单刀N掷开关的输出端依次连接第四低噪声放大器和第三电阻衰减器。

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