[实用新型]干法硅片自动分离机构有效
| 申请号： | 201120379086.5 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN202231049U | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 顾韻;凌峰;凌兆贵 | 申请（专利权）人： | 无锡市南亚科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214024 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 自动 分离 机构 | ||
【权利要求书】：
1.一种干法硅片自动分离机构，其特征是：包括支架（1）、支杆（2）、风刀体（3）、喷嘴体（4）、密封圈（5）、螺母（6）、喷头（7）、喷头环（8）；所述喷嘴体（4）、支杆（2）分别旋入风刀体（3），密封圈（5）装入喷嘴体（4）凹孔内，所述风刀体（3）上设置有两个喷头（7），喷头环（8）装在喷头（7）上，通过螺母（6）固定喷头（7）且安装在支架（1）上。
2.如权利要求1所述的干法硅片自动分离机构，其特征是：所述喷头（7）底部制成球形。
3.如权利要求1所述的干法硅片自动分离机构，其特征是：所述喷头（7）上的压缩空气喷出口为一字型槽口。
4.如权利要求1所述的干法硅片自动分离机构，其特征是：所述风刀体（3）上设有孔。
5.如权利要求1所述的干法硅片自动分离机构，其特征是：所述支架（1）上设置有两个螺纹孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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