[实用新型]LIGBT输出级集成电路有效
| 申请号： | 201120379483.2 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN202231691U | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 乔明;赵磊;张波 | 申请（专利权）人： | 深圳市联德合微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094;H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260 | 代理人： | 王翀 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区艺*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ligbt 输出 集成电路 | ||
1.一种LIGBT输出级集成电路，其特征在于，包括控制电路(1)以及LDMOS输出级(6)与LIGBT输出级(7)，所述LDMOS输出级(6)及LIGBT输出级(7)的栅极与控制电路(1)连接，其中在电位相同时，所述LDMOS输出级(6)的源极与LIGBT输出级(7)的阴极连接，所述LDMOS输出级(6)的漏极与LIGBT输出级(7)的阳极连接。
2.根据权利要求1所述的LIGBT输出级集成电路，其特征在于，所述控制电路(1)以及LDMOS输出级(6)与LIGBT输出级(7)设置于集成电路模块上。
3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述LDMOS输出级(6)包括栅极区、低压源极区(2)及高压漏极区(3)，所述LIGBT输出级(7)包括栅极区、低压阴极区(4)及高压阳极区(5)。
4.根据权利要求3所述的LIGBT输出级集成电路，其特征在于，所述LDMOS输出级(6)的低压源极区(2)与LIGBT输出级(7)的低压阴极区(4)在电位不同时不共用。
5.根据权利要求3所述的LIGBT输出级集成电路，其特征在于，所述LDMOS输出级(6)的低压源极区(2)与LIGBT输出级(7)的低压阴极区(4)在电位相同时共用，所述LDMOS输出级(6)的高压漏极区(3)与LIGBT输出级(7)的高压阳极区(5)交替构成。
6.根据权利要求5所述的LIGBT输出级集成电路，其特征在于，所述LDMOS输出级(6)的高压漏极区(3)与LIGBT输出级(7)的高压阳极区(5)的宽度相同或者不相同。
7.根据权利要求1至6任一项所述的LIGBT输出级集成电路，其特征在于，所述LDMOS输出级(6)与LIGBT输出级(7)为N型沟道器件或者P型沟道器件。
8.根据权利要求2所述的LIGBT输出级集成电路，其特征在于，所述集成电路模块由硅材料、绝缘体硅、氮化硅或者碳化硅制成。
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