[实用新型]一种可产生关断负压的IGBT驱动电路

权利要求书

1.一种可产生关断负压的IGBT驱动电路，其特征在于，包括驱动信号整形放大电路、IGBT管、降压电路和充电电路，所述驱动信号整形放大电路的信号输入端外接驱动信号，驱动信号整形放大电路的电源输入端外接电源正极和电源地；所述的降压电路包括隔直电容和稳压二极管，所述的隔直电容与稳压二极管并联，所述稳压二极管的阴极接驱动信号整形放大电路的信号输出端，阳极接IGBT管的门极；IGBT管的发射极接所述的电源地，充电电路的一端接IGBT管的门极，另一端接IGBT管的发射极。

2.根据权利要求1所述的可产生关断负压的IGBT驱动电路，其特征在于，所述的降压电路包括驱动电阻，所述驱动电阻接在接驱动信号整形放大电路的信号输出端与稳压二极管的阴极之间。

3.根据权利要求1所述的可产生关断负压的IGBT驱动电路，其特征在于，所述的充电电路包括充电电阻。

4.根据权利要求3所述的可产生关断负压的IGBT驱动电路，其特征在于，包括二极管，所述二极管与充电电阻串联，二极管的阳极接IGBT管的门极，二极管的阴极接电源地。

5.根据权利要求1所述的可产生关断负压的IGBT驱动电路，其特征在于，包括滤波电容，所述滤波电容的一端接接电源正极，另一端接电源地。

6.根据权利要求1所述的可产生关断负压的IGBT驱动电路，其特征在于，所述隔直电容的电容值是电容值大于0.2uF。

7.根据权利要求1所述的可产生关断负压的IGBT驱动电路，其特征在于，所述的驱动信号整形放大电路是半桥驱动芯片。

8.根据权利要求7所述的可产生关断负压的IGBT驱动电路，其特征在于，半桥驱动芯片是IRS2101或IRS2103芯片。