[实用新型]一种改进的太阳能电池片PECVD设备有效
申请号: | 201120382400.5 | 申请日: | 2011-10-09 |
公开(公告)号: | CN202736889U | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 林国春;许新湖;梁兴芳 | 申请(专利权)人: | 阳光大地(福建)新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L31/18 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 李秀梅 |
地址: | 362300 福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改进 太阳能电池 pecvd 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池片的生产设备,特别是一种改进的太阳能电池片PECVD设备。
背景技术
目前,现有的太阳能电池片PECVD设备一般包括有反应腔室,该反应腔室包括有附尘槽及供气装置,该供气装置包括有特气管道及固定于所述附尘槽上的设有气体喷淋小孔的气体喷淋管,该气体喷淋管与特气管道相连通。此种结构的太阳能电池片PECVD设备在对样品表面沉积形成固态薄膜的过程中,Si3N4也会附着于附尘槽和气体喷淋小孔上,经过长时间的生产后,附尘槽和气体喷淋小孔上会附着一层厚厚的Si3N4,当气体喷淋小孔被堵时,就会影响特气的流量,从而影响到硅片的膜厚以及折射率,导致不良片。因此需要经常对设备进行保养,清理附尘槽上的Si3N4以及对气体喷淋小孔用电钻进行通孔,且通孔时,钻头很容易断裂,卡在孔里,且清理下来的Si3N4有很多仍会遗留在特气管道内,当气体喷淋小孔或特气管道被堵时,可能还要进行更换,提高了成本,且保养设备需耗费很多时间及精力,降低了产量,给企业带来经济损失。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是克服现有技术的缺点,提供一种更加便于保养,可降低成本,提高产量,给企业带来更好的经济效益的改进的太阳能电池片PECVD设备。
本实用新型采用如下技术方案:
一种改进的太阳能电池片PECVD设备,包括有反应腔室,该反应腔室包括有附尘槽及供气装置,该供气装置包括有特气管道及固定于所述附尘槽上的设有气体喷淋小孔的气体喷淋管,该气体喷淋管与特气管道相连通,所述气体喷淋管上附有一可拆卸的附尘板,该附尘板上设有与所述气体喷淋管上的气体喷淋小孔相对应的相同孔径的附尘孔,该附尘孔与气体喷淋管上与其相对应的气体喷淋小孔相重合。
所述气体喷淋小孔均匀设于气体喷淋管上。
所述附尘板与所述气体喷淋管采用金属材料制成。
所述附尘板与所述气体喷淋管之间的接触面密合。
所述附尘板可滑动的卡固于附尘槽上。
由上述对本实用新型的描述可知,与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:通过在PECVD设备反应腔室的气体喷淋管上附一可拆卸的附尘板,可保证在对样品表面沉积形成固态薄膜的过程中,Si3N4会附着于附尘板的附尘孔上,不会对气体喷淋小孔堵塞,需要清理时,可直接将附尘板拆卸下来进行通孔,对特气管道及气体喷淋管无直接影响,这样就降低了保养时通孔的难度,减少了保养所需的时间,可提高产量,且可节省因特气管道或气体喷淋小孔堵塞进行更换所耗费的资金,降低了成本,给企业带来更好的经济效益。
附图说明
图1是本实用新型具体实施方式的反应腔室的整体结构示意图;
图2是本实用新型具体实施方式的反应腔室的部分结构示意图;
图3是本实用新型具体实施方式的反应腔室的部分结构剖视图;
图4是本实用新型具体实施方式的气体喷淋管与附尘板的侧视结构剖视图;
图5是本实用新型具体实施方式的气体喷淋管与附尘板的正视结构剖视图。
图中:1.附尘槽,2.特气管道,3.气体喷淋管,4.气体喷淋小孔,5.附尘板,6.附尘孔,7.等离子石英管,8.铜导线,9.卡口。
具体实施方式
以下通过具体实施方式对本实用新型作进一步的描述。
参照图1、图2、图3、图4和图5,一种改进的太阳能电池片PECVD设备,包括有反应腔室、气路控制系统及电控系统,所述反应腔室分别连接于气路控制系统及电控系统,该反应腔室包括有附尘槽1及供气装置,该供气装置包括有特气管道2及固定于所述附尘槽1上的设有气体喷淋小孔4的气体喷淋管3,该气体喷淋小孔4均匀设于气体喷淋管3上,该气体喷淋管3与特气管道2相连通,所述气体喷淋管3上附有一可拆卸的附尘板5,该附尘板5可滑动的卡固于附尘槽1上,该附尘板5上设有与所述气体喷淋管3上的气体喷淋小孔4相对应的相同孔径的附尘孔6,该附尘孔6与气体喷淋管3上与其相对应的气体喷淋小孔4相重合,该附尘板5与所述气体喷淋管3采用金属材料制成,该附尘板5与气体喷淋管3之间的接触面密合。所述附尘槽1上还设有等离子石英管7,该等离子石英管7中间穿设有铜导线8,该等离子石英管7通过设置于附尘槽1两端的卡口9固定于附尘槽1上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造