[实用新型]一种外嵌式磁场强化搅拌絮凝器有效
申请号: | 201120384085.X | 申请日: | 2011-10-11 |
公开(公告)号: | CN202609994U | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 杨超君;丁磊;管春松;李志宝;胡友 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | C02F1/52 | 分类号: | C02F1/52;C02F1/48 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 212013 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 外嵌式 磁场 强化 搅拌 絮凝 | ||
1.一种外嵌式磁场强化搅拌絮凝器,其特征在于:所述絮凝器包括奇数组绕组,可调整流电源,整流电源,单片机,三极管、絮凝容器,可调整流电源(11)分别连接奇数组绕组的一端,奇数组绕组的另一端分别接三极管的集电极C,三极管的基极B分别接单片机的输出端,三极管的发射极E接地,绕组紧贴絮凝容器外壁,均匀分布在絮凝容器的周围,整流电源与单片机相连,用于给单片机供电。
2.如权利要求1所述的一种外嵌式磁场强化搅拌絮凝器,其特征在于:所述绕组由线圈和芯体组成,所述芯体采用80~150片的硅钢片叠加而成,硅钢片的宽度a= ,R为絮凝容器的半径,n为绕组的组数,宽度单位为毫米,硅钢片的高度与絮凝容器的高度相同;每两片硅钢片之间涂以绝缘漆;线圈绕于芯体上,线圈横截面与芯体最大横截面平行。
3.如权利要求1所述的一种外嵌式磁场强化搅拌絮凝器,其特征在于:可调整流电源(11)为大小可调的直流电源,电压大小应保证绕组(1、2、3、4、5)所产生的磁场能够穿过整个絮凝容器(13),则电压U>,R为絮凝容器的半径,单位为毫米,同时电压U必须小于所选三极管的保护电压。
4.如权利要求3所述的一种外嵌式磁场强化搅拌絮凝器,其特征在于:所述电压范围为6v~80v。
5.如权利要求1所述的一种外嵌式磁场强化搅拌絮凝器,其特征在于:奇数组绕组由绕组(1)、绕组(2)、绕组(3)、绕组(4)和绕组(5)组成,整流电源(11)、整流电源(11’)、单片机(12)以及三极管(6)、三极管(7)、三极管(8)、三极管(9)和三极管(10)组成控制部分;可调整流电源(11)分别连接绕组(1)、绕组(2)、绕组(3)、绕组(4)和绕组(5)的线圈一端,即向绕组(1)、绕组(2)、绕组(3)、绕组(4)和绕组(5)供电;整流电源(11’)连接单片机(12)的电源输入端,即向单片机(12)供电;单片机(12)的输出端口(6’)、 输出端口(7’)、 输出端口(8’)、 输出端口(9’)和输出端口(10’)分别对应接三极管(6)、三极管(7)、三极管(8)、三极管(9)和三极管(10)的基极B,三极管(6)、三极管(7)、三极管(8)、三极管(9)和三极管(10)的集电极C分别对应接绕组(1)、绕组(2)、绕组(3)、绕组(4)和绕组(5)的线圈的另一端,三极管(6)、三极管(7)、三极管(8)、三极管(9)和三极管(10)的发射极E分别接地。
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