[实用新型]一种彩膜基板、掩模板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201120384425.9 申请日: 2011-10-11
公开(公告)号: CN202267805U 公开(公告)日: 2012-06-06
发明(设计)人: 木素真;李成 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1335;G03F1/00
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 彩膜基板 模板 显示装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及液晶显示领域,尤其涉及一种彩膜基板、掩模板及显示装置。

背景技术

现有的薄膜场效应晶体管(TFT,Thin Film Transistor)液晶显示(LCD,Liquid Crystal Display)中,彩膜(CF,Color Film)基板的公共电极层(VCOM)是通过封框(Seal)胶中的金球(AU Ball)或银胶(TR)与阵列(Array)基板的公共电极层(VCOM)导通的。其中,彩膜基板的公共电极层使用的公共电极金属为氧化铟锡(ITO,Indium-Tin Oxide)。由于彩膜基板的公共电极层实行的是全覆盖模式,即ITO没有空隙的覆盖在整个彩膜基板上,这样,在对盒工艺之后,彩膜基板位于阵列基板的上方,彩膜基板具有公共电极金属的一面朝向阵列基板,如图1所示,在彩膜基板(为图1中的虚线部位)的公共电极层与阵列基板1的栅线(Gate)扇出(Fanout)区域2和数据线(Data)扇出区域3之间,容易发生静电释放(ESD,Electro-Static Discharge)现象,造成后续不良反应,影响液晶面板的品质。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种彩膜基板、掩模板及显示装置,用以解决现有彩膜基板的公共电极层和阵列基板扇出区域之间产生静电释放现象,降低液晶面板品质的问题。

本实用新型实施例提供了一种彩膜基板,彩膜基板的公共电极层包括:未形成公共电极金属的无图案区域,该无图案区域与在同彩膜基板对盒的阵列基板中栅线扇出区域和/或数据线扇出区域位置对应。

本实用新型实施例提供了一种用于制造前述彩膜基板的公共电极层的掩模板,该掩模板至少包括用于形成彩膜基板的公共电极层的无图案区域的图案。

本实用新型实施例提供了一种显示装置,该显示装置包括前述彩膜基板。

本实用新型实施例的有益效果包括:

本实用新型实施例提供的一种彩膜基板、掩模板及显示装置,彩膜基板的公共电极层包括未形成公共电极金属的无图案区域,该无图案区域与在同彩膜基板对盒的阵列基板中栅线扇出区域和/或数据线扇出区域位置对应,由于在彩膜基板与阵列基板的栅线扇出区域和/或数据线扇出区域位置对应的区域没有公共电极金属,能够减小在彩膜基板的公共电极层与阵列基板的栅线扇出区域和数据线扇出区域之间发生静电释放现象的可能性,有效地避免了静电释放后的不良反应,增强了液晶面板的品质。

附图说明

图1为现有技术中阵列基板的栅极扇出区域和数据线扇出区域的图案示意图;

图2为本实用新型实施例提供的彩膜基板的公共电极层的图案示意图;

图3为本实用新型实施例提供的掩模板的图案示意图。

具体实施方式

下面结合附图,对本实用新型实施例提供的彩膜基板、掩模板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。

本实用新型实施例提供的一种彩膜基板,彩膜基板的公共电极层包括:未形成公共电极金属的无图案区域,该无图案区域与在同彩膜基板对盒的阵列基板中栅线扇出区域和/或数据线扇出区域位置对应,其中,形成公共电极金属的方法可以为涂布、沉积和溅射等方法,在此不做限定。

图2为彩膜基板的公共电极层4中与阵列基板的栅线扇出区域和数据线扇出区域位置对应的区域为无图案区域的示意图,其中,与阵列基板的栅线扇出区域位置对应的无图案区域为5,与数据线扇出区域位置对应的无图案区域为6。

使用具有上述公共电极层的彩膜基板,在对盒工艺之后,由于在彩膜基板和阵列基板的栅线扇出区域(数据线扇出区域)位置对应的区域没有公共电极金属,这样,在保证彩膜基板的公共电极层能正常工作的情况下(即通过封框胶中的金球或银胶与阵列基板的公共电极层导通),能有效地减少在彩膜基板的公共电极层与阵列基板的栅线扇出区域和数据线扇出区域之间发生静电释放现象的可能性,从而增强了液晶面板的品质。

此外,彩膜基板的公共电极层的无图案区域的形状可以为圆形、矩形或三角形等常见形状。

优选地,彩膜基板的公共电极层的无图案区域的形状可以与阵列基板的栅线扇出区域和/或数据线扇出区域的形状相同。

更优地,彩膜基板的公共电极层的无图案区域的大小可以与阵列基板的栅线扇出区域和/或数据线扇出区域的大小一致。

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