[实用新型]双向加热半导体器件焊接装置有效

专利信息
申请号: 201120385897.6 申请日: 2011-09-24
公开(公告)号: CN202240031U 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 陈建民;陈建卫;陈磊 申请(专利权)人: 河南鸿昌电子有限公司
主分类号: B23K3/04 分类号: B23K3/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 461500 河南省*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 双向 加热 半导体器件 焊接 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种装置,涉及半导体加工技术领域,涉及半导体器件焊接装置。

背景技术

半导体器件是将晶块焊接在瓷板上形成的,焊接装置具有焊接底座,焊接座下部具有加热底板,上部具有压紧的压盘,现有技术中,压盘不具有加热装置,半导体器件往往需要在两面二次焊接,这样的就具有工艺麻烦、效率低、容易出现废品的缺点。

实用新型内容

本实用新型的目的就是针对上述缺点,提供一种效率高、使用工艺简单、产品质量高的双向加热半导体器件焊接装置。

本实用新型所采取的技术方案是这样的,双向加热半导体器件焊接装置,包括底座和底座上活动的压盘,所述的底座具有加热底板,其特征是:所述的压盘是导热性能好的金属制成的,压盘上具有加热装置。

较佳的技术方案是:所述加热装置是在压盘内具有安装加热管的空槽,加热管安装在空槽内。

本实用新型的有益效果是:这样的双向加热半导体器件焊接装置具有效率高、使用工艺简单、产品质量高的优点。

附图说明

图1为本实用新型双向加热半导体器件焊接装置的结构示意图。

其中:1、底座 2、压盘 3、空槽 4、加热管。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

如图1所示,双向加热半导体器件焊接装置,包括底座1和底座1上活动的压盘2,所述的底座1具有加热底板,其特征是:所述的压盘2是导热性能好的金属制成的,压盘2上具有加热装置。

较佳的技术方案是:所述加热装置是在压盘内具有安装加热管的空槽3,加热管4安装在空槽3内。

这样它就能上下双向加热,加工半导体时不易两次加热,简化了工艺。

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