[实用新型]双向加热半导体器件焊接装置有效
申请号: | 201120385897.6 | 申请日: | 2011-09-24 |
公开(公告)号: | CN202240031U | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 陈建民;陈建卫;陈磊 | 申请(专利权)人: | 河南鸿昌电子有限公司 |
主分类号: | B23K3/04 | 分类号: | B23K3/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 461500 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双向 加热 半导体器件 焊接 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种装置,涉及半导体加工技术领域,涉及半导体器件焊接装置。
背景技术
半导体器件是将晶块焊接在瓷板上形成的,焊接装置具有焊接底座,焊接座下部具有加热底板,上部具有压紧的压盘,现有技术中,压盘不具有加热装置,半导体器件往往需要在两面二次焊接,这样的就具有工艺麻烦、效率低、容易出现废品的缺点。
实用新型内容
本实用新型的目的就是针对上述缺点,提供一种效率高、使用工艺简单、产品质量高的双向加热半导体器件焊接装置。
本实用新型所采取的技术方案是这样的,双向加热半导体器件焊接装置,包括底座和底座上活动的压盘,所述的底座具有加热底板,其特征是:所述的压盘是导热性能好的金属制成的,压盘上具有加热装置。
较佳的技术方案是:所述加热装置是在压盘内具有安装加热管的空槽,加热管安装在空槽内。
本实用新型的有益效果是:这样的双向加热半导体器件焊接装置具有效率高、使用工艺简单、产品质量高的优点。
附图说明
图1为本实用新型双向加热半导体器件焊接装置的结构示意图。
其中:1、底座 2、压盘 3、空槽 4、加热管。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
如图1所示,双向加热半导体器件焊接装置,包括底座1和底座1上活动的压盘2,所述的底座1具有加热底板,其特征是:所述的压盘2是导热性能好的金属制成的,压盘2上具有加热装置。
较佳的技术方案是:所述加热装置是在压盘内具有安装加热管的空槽3,加热管4安装在空槽3内。
这样它就能上下双向加热,加工半导体时不易两次加热,简化了工艺。
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