[实用新型]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

一半导体基板，其表面具有一掺杂层，所述掺杂层的深度介于200nm至1000nm之间，所述掺杂层的表面掺杂浓度介于1×10¹⁹至5×10²⁰atoms/cm³之间；以及

一复合多功能保护膜，设置在所述掺杂层上，所述复合多功能保护膜具有多个膜层，达到钝化、抗反射及保护的功能，所述膜层最接近所述掺杂层的一层，其膜层厚度小于40nm。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述半导体基板为P型半导体基板或N型半导体基板。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，当所述半导体基板为P型半导体基板时，所述掺杂层的掺杂元素为N型。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，当所述半导体基板为N型半导体基板时，所述掺杂层的掺杂元素为P型。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：多个电极，分别设置在所述太阳能电池的一光入射表面及一背光表面。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述半导体基板为单晶硅基板、多晶硅基板或非晶硅基板。