[实用新型]平面结构型超高压二极管芯片有效
申请号: | 201120398926.2 | 申请日: | 2011-10-19 |
公开(公告)号: | CN202259305U | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 汪良恩;裘立强;谢盛达;葛宜威 | 申请(专利权)人: | 扬州杰利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/861 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 225008 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平面 结构 超高压 二极管 芯片 | ||
1.平面结构型超高压二极管芯片,所述芯片本体呈薄片状,芯片本体上部设有主结和顶面电极,芯片本体下部设有衬底和底面电极,其特征在于,在所述主结外圈还设有至少两圈场限环;在最外圈场限环的外部还设有一圈截止环;
所述至少两圈场限环的顶面高度与所述主结顶面高度一致,所述至少两圈场限环的深度与所述主结的深度一致;
所述截止环的顶面高度与所述主结的顶面高度一致。
2.根据权利要求1所述的平面结构型超高压二极管芯片,其特征在于,所述截止环处于所述芯片本体的顶面边缘、且其轴向截面呈L形,截止环截面高度为所述主结深度的1.2-2.5倍。
3.根据权利要求2所述的平面结构型超高压二极管芯片,其特征在于,在所述L形截止环的内直角缺口内还设有一圈环形电极,所述环形电极截面尺寸小于所述内直角缺口的尺寸。
4.根据权利要求1所述的平面结构型超高压二极管芯片,其特征在于,所述场限环为3-5圈。
5.根据权利要求4所述的平面结构型超高压二极管芯片,其特征在于,所述各圈场限环的宽度不等。
6.根据权利要求4所述的平面结构型超高压二极管芯片,其特征在于,所述各圈场限环之间的间隙宽度不等。
7.根据权利要求1-6中任一所述的平面结构型超高压二极管芯片,其特征在于,在所述截止环顶面边缘向内1/5-1/2的顶面宽度尺寸为起点至所述主结顶面边缘向内1/50-1/20的顶面直径尺寸为终点的范围内设有组合钝化保护层;所述组合钝化保护层覆盖:所述截止环顶面起点内的部分、最外圈场限环至截止环之间的间隙、各场限环顶面、各场限环之间的间隙、最内圈场限环至主结外圆之间的间隙以及所述主结终点外的部分。
8.根据权利要求7所述的平面结构型超高压二极管芯片,其特征在于,所述组合钝化保护层由内及表包括半绝缘多晶硅薄膜层、钝化玻璃层和二氧化硅膜层。
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