[实用新型]平面结构型超高压二极管芯片有效

专利信息
申请号: 201120398926.2 申请日: 2011-10-19
公开(公告)号: CN202259305U 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 汪良恩;裘立强;谢盛达;葛宜威 申请(专利权)人: 扬州杰利半导体有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/861
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 225008 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 平面 结构 超高压 二极管 芯片
【权利要求书】:

1.平面结构型超高压二极管芯片,所述芯片本体呈薄片状,芯片本体上部设有主结和顶面电极,芯片本体下部设有衬底和底面电极,其特征在于,在所述主结外圈还设有至少两圈场限环;在最外圈场限环的外部还设有一圈截止环;

所述至少两圈场限环的顶面高度与所述主结顶面高度一致,所述至少两圈场限环的深度与所述主结的深度一致;

所述截止环的顶面高度与所述主结的顶面高度一致。

2.根据权利要求1所述的平面结构型超高压二极管芯片,其特征在于,所述截止环处于所述芯片本体的顶面边缘、且其轴向截面呈L形,截止环截面高度为所述主结深度的1.2-2.5倍。

3.根据权利要求2所述的平面结构型超高压二极管芯片,其特征在于,在所述L形截止环的内直角缺口内还设有一圈环形电极,所述环形电极截面尺寸小于所述内直角缺口的尺寸。

4.根据权利要求1所述的平面结构型超高压二极管芯片,其特征在于,所述场限环为3-5圈。

5.根据权利要求4所述的平面结构型超高压二极管芯片,其特征在于,所述各圈场限环的宽度不等。

6.根据权利要求4所述的平面结构型超高压二极管芯片,其特征在于,所述各圈场限环之间的间隙宽度不等。

7.根据权利要求1-6中任一所述的平面结构型超高压二极管芯片,其特征在于,在所述截止环顶面边缘向内1/5-1/2的顶面宽度尺寸为起点至所述主结顶面边缘向内1/50-1/20的顶面直径尺寸为终点的范围内设有组合钝化保护层;所述组合钝化保护层覆盖:所述截止环顶面起点内的部分、最外圈场限环至截止环之间的间隙、各场限环顶面、各场限环之间的间隙、最内圈场限环至主结外圆之间的间隙以及所述主结终点外的部分。

8.根据权利要求7所述的平面结构型超高压二极管芯片,其特征在于,所述组合钝化保护层由内及表包括半绝缘多晶硅薄膜层、钝化玻璃层和二氧化硅膜层。

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