[实用新型]大功率倒装阵列LED芯片有效
| 申请号： | 201120399059.4 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN202332853U | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 邓朝勇;杨利忠;李绪诚;张荣芬;许铖 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/64 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 吴无惧 |
| 地址： | 550025 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大功率 倒装 阵列 led 芯片 | ||
1.一种大功率倒装阵列LED芯片，包括衬底、n型半导体层、有源层、p型半导体层、电极层、绝缘层、外接金属层和钝化层，其特征在于：阵列LED芯片是由多个阵列单元构成阵列，其中相邻阵列单元都共用一个n型半导体层（6）；所述阵列单元是蓝宝石衬底（2）上方依次覆盖n型缓冲层（3）、n型半导体层（6）、有源层（7）、p型半导体层（8）、透明电极层（9）、p电极层（10）；相邻两个阵列单元之间是n电极（5）；并且n电极（5）和p电极层（10）由绝缘层（4）包覆；在绝缘层（4）包覆的p电极层（10）窗口上方覆盖外接金属散热层（11），在外接金属散热层（11）表面还有钝化层（12）。
2.根据权利要求1所述的大功率倒装阵列LED芯片，其特征在于：蓝宝石衬底（2）的出光面处理为粗超化表面（1）。
3.根据权利要求1所述的大功率倒装阵列LED芯片，其特征在于：倒装LED芯片的n型半导体层（6）和p型半导体层（8）是由GaN、GaAs或AlGaN半导体材料构成；其中n型层掺入的杂质是Si材料，p型层掺入的杂质是Mg材料。
4.根据权利要求1所述的大功率倒装阵列LED芯片，其特征在于：倒装阵列LED芯片的有源层（7）是单层的InGaN，或者是多层的InGaN层和GaN层，形成多量子阱层。
5.根据权利要求1、2或3所述的大功率倒装阵列LED芯片，其特征在于：所有芯片阵列单元的n型半导体层（6）是连通的，并且相邻两个阵列单元共用位于其间的n电极（5）。
6.根据权利要求1、2或3所述的大功率倒装阵列LED芯片，其特征在于： p电极层（10）采用金属Ag或Al，并且完全覆盖每一个阵列单元的透明电极层（9）。
7.根据权利要求1所述的大功率倒装阵列LED芯片，其特征在于：绝缘层（4）和钝化层（12）由SiOx、SiNx或SiOxNy绝缘材料构成。
8.根据权利要求1所述的大功率倒装阵列LED芯片，其特征在于：透明电极层（9）采用金属薄膜Ni/Au或氧化铟锡制作。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
