[实用新型]硅片背面缺陷正面打点的定位结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路制造领域，属于一种用于缺陷监控的硅片背面缺陷正面打点的定位结构。

背景技术

在硅片的生产制造过程中，经常会出现某个die(晶粒)有缺陷，通常发现硅片背面晶粒有缺陷时，通过先从背面数die的方法来确定位置，再翻到正面通过数die的方法进行打点。这种定位方式不但费时费力，还容易污染UV膜，并且定位的准确率很低。通过现有实验数据，此种做法通常一个die平均花费5分钟，同时容易出错，风险呈几何级数增加。并且由于现有检查方法导致硅片翻转以后正面和净化纸相接触，在相对移动中易引起新的划伤异常。随着单枚硅片背面缺陷的增加，所耗时间和所产生的风险将递增。由于当前划片槽尺寸越来越小，背面崩齿等缺陷对硅片的影响越来越大。为了改变当前较原始的定位打点方式，所以需要一个操作方便的缺陷定位装置，能精确定位正背面缺陷的同步性，以达到准确对背面缺陷die进行正面打点。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种硅片背面缺陷正面打点的定位结构，可以精确定位背面缺陷在正面的位置，提高正面打点的准确性，并且省时省力。

为解决上述技术问题，本实用新型的硅片背面缺陷正面打点的定位结构，包括安装硅片的片盒，所述片盒的四周各设有一标尺，其中两根相邻的标尺外侧分别设有一激光定位灯，每个激光定位灯发出的激光与不相邻的两标尺相交，且交点所在的刻度值相同。

进一步地，所述片盒具有供带铁环的硅片插入的凹槽。

进一步地，所述相邻的标尺相互垂直。所述两个激光定位灯发出的激光相互垂直。

优选的，所述标尺的最小刻度为1毫米。

本实用新型通过对具体缺陷位置的坐标化，改变了现有人为目测计算die位置的费时费力的做法，出错概率降低，定位时间缩短，正面划伤概率理论值为零。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：

附图是本实用新型的结构示意图。

其中附图标记说明如下：

1为硅片；2为标尺；3为激光定位灯；4为铁环。

具体实施方式

本实用新型的硅片背面缺陷正面打点的定位结构，如附图所示，包括安装硅片1的金属片盒，所述金属片盒具有供硅片1插入的凹槽。所述金属片盒的四周各设有一最小刻度为1毫米的标尺2，相邻的标尺2相互垂直，其中两根相邻的标尺2外侧分别设有一激光定位灯3，每个激光定位灯3发出的激光与不相邻的两标尺2相交，且交点所在的刻度值相同，该激光定位灯3安装在配套的支架上。所述两个激光定位灯3发出的激光相互垂直。在本实施例中，所用的激光定位灯为绿光一字线定位灯，型号为RB635-5G2。

在本实用新型中，硅片1是经过划片处理的，因为在划片时需要将硅片通过膜贴在铁环4上，因此，如附图所示，铁环4和硅片1为一整体结构。

如附图所示，横向设置的标尺2分别为X1和X2，纵向设置的标尺2分别为Y1和Y2，X1和X2以硅片1的中心标记为0。本装置的定位打点过程中，包括以下步骤：1)使硅片带角的一边朝外，将带铁环4的硅片1背面朝上放入该定位结构上，铁环插入金属片盒的凹槽中；2)将定位结构放置于INT外观机台上，进行常规的微观检查；3)当发现某个die有缺陷时，通过显微镜观察，移动X1标尺外的激光定位灯3和Y1标尺外的激光定位灯3，使两个激光定位灯3发出的两束激光的交点位于有缺陷的die上；4)根据两个激光束所在位置，记录缺陷位置的横坐标和纵坐标，此时一定要确保X1＝X2，Y1＝Y2，例如(30，40)；5)记录下所有的背面缺陷的坐标值；6)将硅片从凹槽中取出，并以Y轴为中心翻转180°，使硅片正面朝上、带角的一边仍然朝外；7)将步骤4中测得的横坐标值关于Y轴对称得到一个新的坐标值(-30，40)，移动X1标尺外的激光定位灯3，使两个激光定位灯3发出的激光束的交点位于新的坐标值所指位置，此时两个激光定位灯3发出的两束激光相交的位置就是硅片背面缺陷所在位置，对此位置进行正面打点即可。

本专利通过对具体缺陷位置的坐标化，解决了现有人为目测去数die这样一个极为费时费力的做法。通过现有数据可说明，此种做法通常一个die平均花费5分钟，同时容易出错，风险呈几何级数增加。并且由于现有检查方法导致硅片翻转以后正面和净化纸相接触，在相对移动中易引起新的划伤异常。随着单枚硅片背面缺陷的增加，所耗时间和所产生的风险将递增。而使用此装置后，缺陷位置被数字化，出错概率降低，定位时间缩短，正面划伤概率理论值为零。

以上通过具体实施例对本实用新型进行了详细的说明，但这些并非构成对本实用新型的限制。在不脱离本实用新型原理的情况下，本领域的技术人员还可对本实用新型等做出许多变形和等效置换，这些也应视为本实用新型的保护范围。