[实用新型]一种硅通孔金属互联线电迁移测试结构有效
| 申请号： | 201120402902.X | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN202275826U | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;汪学方;吕植成;袁娇娇;宋斌;杨亮 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 金属 互联线电 迁移 测试 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅通孔金属互联线的电迁移测试结构，包括硅片，其特征在于，在硅片上分布有多个硅通孔单元，所述硅通孔单元包括三个硅通孔，第一、二、三硅通孔通过硅片反面金属层相连，第二硅通孔与后继相邻硅通孔单元的第一硅通孔通过硅片正面金属层相连，四探针的一个测头置于第三硅通孔正面端口处，另一测头置于硅片上与第一硅通孔通过正面金属层相连的位置处。
2.根据权利要求1所述的硅通孔金属互联电迁移测试结构，其特征在于，所述的硅通孔直径在5～1000um。
3.根据权利要求1所述的硅通孔金属互联电迁移测试结构，其特征在于，所述的硅通孔利用铜、铝、钨或钛金属进行填充。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120402902.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：工厂化白菜育苗基质
- 下一篇：一种高炉喷吹煤粉的方法和装置
