[实用新型]一种液晶面板及液晶显示设备有效

专利信息
申请号: 201120405578.7 申请日: 2011-10-21
公开(公告)号: CN202362558U 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 王建 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1339 分类号: G02F1/1339;G02F1/1362
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 张颖玲;程立民
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 液晶面板 液晶显示 设备
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及液晶显示技术,尤其涉及一种液晶面板(Panel)及液晶显示设备。 

背景技术

目前,液晶面板周边盒厚均一度要求越来越高,但受制于设计,液晶面板周边布线金属不能保持高度一致,因此液晶面板周边柱状隔垫物(PS,Post Spacer)位置处的段差都不相同,所述段差一般指膜厚的高度差。以10.1FFS的液晶面板为例,栅电极集成电路(IC)芯片的对侧、即栅电极对边(Gate Pad Opposite)PS位置处的段差与有效显示区(AA)主隔垫物(Main PS)位置处的段差大致相同,如图1所示,椭圆区域1为栅电极对边的PS位置。数据电极边(Data Pad)即数据线走线区(Data Fanout)PS位置处的段差比AA区主隔垫物位置处的段差高出源极/漏极(S/D,Source/Drain)层,而栅电极边(Gate Pad)即栅极走线区(Gate Fanout)PS位置处的段差比AA区主隔垫物位置处的段差高出栅极层(Gate)。这样,数据电极边和栅电极边与AA区的段差不一致,不能保证液晶面板周边盒厚均一度,导致小尺寸液晶面板周边的Mura多发。 

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型的主要目的在于提供一种液晶面板及液晶显示设备,能够提高液晶面板周边盒厚均一度,减少小尺寸液晶面板周边的Mura多发。 

为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的: 

本实用新型提供的一种液晶面板,该液晶面板包括上基板、下基板、以及上基板与下基板之间的液晶,所述下基板四周PS位置处设置有凸台。 

上述方案中,所述凸台的高度加上所述凸台所处位置的段差,与AA主隔垫物的高度相同。 

上述方案中,所述凸台设置在栅电极对边、数据电极边和栅电极边的PS位置处。 

上述方案中,所述栅电极对边的PS位置处的凸台的高度与AA区主隔垫物的高度相同,为栅电极层、S/D层、AA区的高度之和; 

所述数据电极边的PS位置处的凸台的高度为栅电极层与AA区的高度之和; 

所述栅电极边的PS位置处的凸台的高度为S/D层与AA区的高度之和。 

上述方案中,所述凸台为圆柱体,直径为12~16μm。 

本实用新型提供的一种液晶显示设备,该液晶显示设备包括上述的液晶面板。 

本实用新型提供了一种液晶面板及液晶显示设备,在液晶面板下基板四周PS位置处设置凸台,所述凸台的高度加上所述凸台所处位置的段差,与AA区主隔垫物的高度相同;如此,能够提高液晶面板周边盒厚均一度,减少小尺寸液晶面板周边的Mura多发。 

附图说明

图1为现有技术中栅电极对边的PS位置示意图; 

图2为本实用新型实施例在栅电极对边、数据电极边和栅电极边设置凸台的位置示意图。 

附图标记说明:1,栅电极对边PS位置处的椭圆区域;2,数据电极边PS位置处的椭圆区域;3,栅电极边PS位置处的椭圆区域;4,不能设置凸台的方框区域。 

具体实施方式

本实用新型的基本思想是:在液晶面板的下基板四周PS位置处设置凸台, 所述凸台的高度加上所述凸台所处位置的段差,与AA区主隔垫物的高度相同。 

下面通过附图及具体实施例对本实用新型做进一步的详细说明。 

本实用新型实现一种液晶面板,该液晶面板包括上基板、下基板、以及上基板与下基板之间的液晶,其中,所述下基板四周PS位置处设置有凸台,所述凸台的高度加上所述凸台所处位置的段差,与AA区主隔垫物的高度相同; 

所述凸台可以设置在栅电极对边、数据电极边和栅电极边,如图2所示,栅电极对边、数据电极边和栅电极边上的椭圆区域表示对应的PS位置,可以在栅电极对边椭圆区域1中的PS位置处设置凸台,在数据电极边椭圆区域2中的PS位置处设置凸台,以及在栅电极边椭圆区域3中的PS位置处设置凸台; 

所述凸台一般为圆柱体,直径为12~16μm; 

所述凸台的材料一般与所在位置处对应的层材料一致,所述凸台所在位置处对应的层包括:栅电极层、S/D层和AA区; 

所述凸台可以通过蚀刻工艺形成; 

所述凸台设置的位置要避开对周边布线的影响,如不能在离周边开关(Switch)电路较近的地方设置凸台,如图2中栅电极边上方框区域4处不能设置凸台; 

所述AA区主隔垫物的高度为栅电极层、S/D层、AA区的高度之和; 

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