[实用新型]一种测试集成电路的单光子探测装置

权利要求书

1.一种测试集成电路的单光子探测装置，其特征在于包括用于对单光子探测器供电的高压电源、单光子探测器、放大器、用于减少暗电流及其干扰的鉴别器、控制单元、用于采集光子数目的计数单元和显示单元；其中，用于对单光子探测器供电的高压电源、单光子探测器、放大器、用于减少暗电流及其干扰的鉴别器和用于采集光子数目的计数单元依次连接；控制单元分别与用于对单光子探测器供电的高压电源、单光子探测器、用于采集光子数目的计数单元和显示单元连接；控制单元控制对单光子探测器供电的高压电源的启动和关闭，控制单元控制单光子探测器的工作模式，用于采集光子数目的计数单元采集到的数据输入到控制单元中，经过控制单元处理，结果输出至显示单元，进行显示。

2.根据权利要求1所述的测试集成电路的单光子探测装置，其特征在于：所述的用于对单光子探测器供电的高压电源为360～2000V，纹波系数小于0.02的高压电源。

3.根据权利要求1所述的测试集成电路的单光子探测装置，其特征在于：所述的单光子探测器为光电倍增管。

4.根据权利要求3所述的测试集成电路的单光子探测装置，其特征在于：所述的光电倍增管为10级倍增、光谱响应为200～900nm以及暗计数率小于0.01的光电倍增管。

5.根据权利要求1所述的测试集成电路的单光子探测装置，其特征在于：所述的放大器为频率带宽120MHz以上，能将电压信号放大10倍的放大器。

6.根据权利要求1所述的测试集成电路的单光子探测装置，其特征在于：所述的鉴别器由窗口比较电路构成。

7.根据权利要求1所述的测试集成电路的单光子探测装置，其特征在于：所述的控制单元为装载有集成电路测试程序的单片机。

8.根据权利要求1所述的测试集成电路的单光子探测装置，其特征在于：所述的计数单元由CPLD芯片及其外围电路组成。

9.根据权利要求8所述的测试集成电路的单光子探测装置，其特征在于：所述的CPLD芯片为型号是EPM7128SLC84的CPLD芯片。

10.根据权利要求1所述的测试集成电路的单光子探测装置，其特征在于：所述的显示单元由LCD显示屏及其控制电路所组成。