[实用新型]一种用于三极管的引线框架

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体元件，尤其涉及一种用于三极管的引线框架。

背景技术

伴随电子市场的发展，半导体无器件的集成度越来越高，而且其存储量、信号处理速度和功率急速增加，然而体积却越来越小。这一趋势加速了半导体器件封装技术的发展，因此半导体器件封装技术的重要性已经受到了生产企业的关注。半导体器件的高集成度以及存储器的增加还使得输入和输出接线端子的数量也相应增加，继而也使得引线的数目相应的增加，这就要求引线的布置也必须精细。

引线框架是半导体封装中的骨架，它主要由三部分组成：散热区、芯片区和引脚区。其中芯片区在封装过程中为芯片提供机械支撑，而引脚区则是连接芯片到电路板的电学通路。引线框架的功能是至关重要的，芯片在封装后的三极管会产生飞边和胶衣，现在大多采用酸液浸泡冲刷来去除飞边和胶衣的生产工艺，而现有的三极管引线框架的结构，在酸液浸泡冲刷过程中会有少量的酸液浸入塑封体的内部而腐蚀芯片，造成被腐蚀的芯片在短时间内就失效报废。为了满足市场发展的需求，引线框架在结构以及在功能方面也需要不断的创新。

发明内容

本实用新型的目的是提供了一种在芯片定位区的四周设置有U型槽的三极管引线框架，能够有效的防止酸液腐蚀芯片。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

一种用于三极管的引线框架，包括若干个框架单元，所述的相邻的框架单元之间通过上筋、中筋和底筋相连接，所述的连接相邻框架单元的上筋中设置有腰形孔，每个所述的框架单元包括散热区、芯片区和引脚区，所述的散热区位于芯片区的正上方，在所述的散热区内设置有一圆形通孔，所述的引脚区位于所述的芯片区的正下方。

其中，在所述的芯片区内设置有芯片定位区，所述的芯片定位区四周设置有U型槽I，在所述的芯片定位区与散热区之间设置有U型槽II。

其中，所述的引脚区包括左侧引脚、中间引脚和右侧引脚，所述的左侧引脚和右侧引脚通过中筋和底筋相连位于中间引脚的两侧，所述的中间引脚向上延伸连接所述的芯片区。

本实用新型的有益效果是：在芯片定位区的四周设置U型槽I，在芯片定位区与散热区之间设置有U型槽II，对塑封好的三极管进行酸液浸泡冲刷时，如有少量的酸液浸入塑封体内，也会被阻挡在U型槽I和U型槽II的底部，从而彻底解决芯片浸入酸液失效报废的问题，且结构简单、无需外加任何部件阻隔，能够有效的防止酸液腐蚀芯片。

附图说明

附图1是本实用新型一种用于三极管的引线框架的结构示意图；

附图2是附图1中A-A向的剖视图；

附图3是附图1中A-A向的剖视图。

附图中：1-散热区；2-芯片区；3-引脚区；4-上筋；5-中筋；6-下筋；11-通孔；12-腰形孔；21-芯片定位区；22-U型槽I；23-U型槽II；31-左侧引脚；32-中间引脚；33-右侧引脚。

具体实施方式

下面结合附图所示的实施例对本实用新型的技术方案作以下详细描述：

请参见附图1、附图2及附图3所示，本实用新型的一种用于三极管的引线框架，包括若干个框架单元，相邻的框架单元之间通过上筋4、中筋5和底筋6相连接，连接相邻框架单元的上筋4中设置有腰形孔，可以方便剪断引线框架，每个框架单元包括散热区1、芯片区2和引脚区3，散热区1位于芯片区2的正上方，在散热区1内设置有一圆形通孔11，引脚区3位于芯片区2的正下方。

其中，在芯片区2内设置有芯片定位区21，芯片定位区21四周设置有U型槽I 22，在芯片定位区21与散热区1之间设置有U型槽II 23。

其中，引脚区3包括左侧引脚31、中间引脚32和右侧引脚33，左侧引脚31和右侧引脚33通过中筋5和底筋6相连位于中间引脚32的两侧，中间引脚32向上延伸连接芯片区2。

本实用新型的有益效果是：在芯片定位区21的四周设置U型槽I 22，在芯片定位区2与散热区1之间设置有U型槽II 23，对塑封好的三极管进行酸液浸泡冲刷时，如有少量的酸液浸入塑封体内，也会被阻挡在U型槽I 22和U型槽II 23的底部，从而彻底解决芯片浸入酸液失效报废的问题，且结构简单、无需外加任何部件阻隔，能够有效的防止酸液腐蚀芯片。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型而并非限制本实用新型所描述的技术方案；因此，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本实用新型已进行了详细的说明，但是，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本实用新型进行修改或等同替换；而一切不脱离本实用新型的精神和范围的技术方案及其改进，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围中。