[实用新型]晶体硅太阳能电池正面电极布局结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种关于丝网印刷晶体硅太阳能电池的正面电极布局结构。 

背景技术

要收集太阳能电池产生的电流，金属正电极是必须的。主栅线和外部导线直接相连，而副栅线是更细小的金属化区域，用来收集电流传输给主栅线。 

晶体硅太阳能电池的正面电极布局结构的设计理念：提高电流的收集效率、低金属栅线电阻、低接触电阻、低遮光面积。 

正面电极工艺要求：尽可能大的高宽比，目的是减小遮光面积，增大栅线横截面，这样可以减少栅线遮光造成的电池功率损失，同时较大栅线横截面可以降低栅线的体电阻从而降低栅线电阻引起的功率损失。 

目前，市场上主要有125S-165和156S-200两种单晶电池片，分别采用2主栅(尖栅)-54副栅和3主栅(尖栅)-77副栅两种设计，此种应用获得了行业内领先的转化率。 

同时我们注意到，在欧洲各国相继降低光伏补贴的大背景下，最大限度的降低成本成为企业提高竞争力的重要举措。因此在正面电极的设计上，在保证转化率同时，应尽量减少银浆的单耗，目前125S和156S的单耗分别在0.11g、0.19g，还有降低的空间。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶体硅太阳能电池正面电极布 局结构，以减少银浆的单耗。 

为了实现上述目的，本实用新型的技术方案如下： 

晶体硅太阳能电池正面电极布局结构，包括主栅和副栅，其特征在于，所述主栅上沿长度方向间隔设置有若干个镂空空间，所述若干个镂空空间将主栅分隔开来。 

在本实用新型的一个优选实施例中，所述主栅分段上设置有未印刷有银浆的阵列点，每个阵列点的图形呈结构封闭式。 

在本实用新型的一个优选实施例中，所述副栅的边缘加设半框，可增加电流的收集，减少接触电阻。 

本实用新型通过在主栅上设置有镂空空间，可明显降低主栅银浆使用量，虽然同时会增加接触电阻，但是可以通过实心区域和焊带弥补。 

本实用新型在保证转化率同时，减少银浆的单耗。 

本实用新型的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。 

附图说明

图1为实施例1的示意图。 

图2为实施例2的示意图。 

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例进一步阐述本实用新型。 

实施例1 

如图1所示，一种125S-165的晶体硅太阳能电池，包括主栅100和副栅200，主栅100上沿长度方向间隔设置有四个镂空空间110，四个镂空空间将主栅分隔成五个主栅分段120。该结构可明显降低主栅银浆使用量，虽然同时会增加接触电阻，但是可以通过实心区域和焊带弥补。 

在主栅分段120上制作未印刷银浆的阵列点，每个阵列点的图形呈封闭式。可节约银浆使用量，还可有效消除银硅合金和硅的膨胀系数不同而带来的应力，从而降低电池片的弯曲以及组件焊接碎片率；能够增强主栅线导电浆料烧结后在硅片表面的附着牢固性，有效解决银主栅线的脱落问题；减小导电浆料和硅的表面的接触面积，增大开路电压和短路电流；同时可弥补由于镂空空间结构增加接触电阻带来的效率损失。 

在本实施例中，副栅200数量从原有的54根变成61根，以增加电流的收集，减少接触电阻。 

副栅200的边缘加设半框210，可增加电流的收集，减少接触电阻。 

实施例2 

一种156S-200的晶体硅太阳能电池，包括主栅和副栅，主栅上沿长度方向间隔设置有六个镂空空间310，六个镂空空间将主栅分隔成七个主栅分段410。该结构可明显降低主栅银浆使用量，虽然同时会增加接触电阻，但是可以通过实心区域和焊带弥补。 

在主栅分段410上制作未印刷银浆的阵列点，每个阵列点的图形呈封闭式。可节约银浆使用量，还可有效消除银硅合金和硅的膨胀系数不同而带来的应力，从而降低电池片的弯曲以及组件焊接碎片率；能够增强主栅线导电浆料烧结后在硅片表面的附着牢固性，有效解决银主栅线的脱落问题；减小导电浆料和硅的表面的接触面积，增大开路电压和短路电流；同时可弥补由于镂空空间结构增加接触电阻带来的效率损失。 

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。