[实用新型]一种静电保护电路、阵列基板和显示装置有效

申请号：	201120417437.7	申请日：	2011-10-27
公开（公告）号：	CN202259302U	公开（公告）日：	2012-05-30
发明（设计）人：	王盛	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02;H01L27/32
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112	代理人：	罗建民;邓伯英
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	一种静电保护电路阵列显示装置
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【说明书】：

技术领域

本实用新型涉及静电保护技术领域，具体地，涉及一种静电保护电路、阵列基板和显示装置。

背景技术

随着半导体集成电路的快速发展和普遍应用，对半导体集成电路的静电保护越来越重要，静电保护电路可以防止静电放电对集成电路造成毁坏。例如，静电保护可以用于对便携式视频设备、液晶显示器、卫星接收器或天线等器件中精密的集成电路的保护。

图1为现有技术中静电保护电路的结构示意图。如图1所示，静电保护电路包括两个晶体管，分别为第一晶体管和第二晶体管，其中，第一晶体管包括栅极G1、源极S1和漏极D1，第二晶体管包括栅极G2、源极S2和漏极D2。第一晶体管中的栅极G1和源极S1连接到第一信号线A1，第一晶体管中的漏极D1连接到第二信号线A2，第二晶体管中的栅极G2和源极S2连接到第二信号线A2，第二晶体管中的漏极D2与第一信号线A1连接。当第一信号线A1上产生静电时，第一信号线A1上的高电位将第一晶体管打开，静电将经过第一晶体管的源极S1和漏极D1到达第二信号线A2，从而将第一信号线A1上的静电释放；同理，当第二信号线A2上产生静电时，第二信号线A2上的高电位将第二晶体管第一晶体管打开，第二信号线A2上的静电将从第二晶体管中的源极S2和漏极D2输送到第一信号线A1，从而将第二信号线A2上的静电释放。在现有技术的静电保护电路中，由于源极和漏极的作用相同，因此可以将源极和漏极看成是二个功能相同的源漏极。

但是，现有技术中，如果静电保护电路中的一个晶体管发生故障的话，将使整个静电保护电路无法起到保护作用，导致半导体集成电路被烧毁，严重影响半导体集成电路的质量和使用寿命。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供一种静电保护电路、阵列基板和显示装置，用于解决现有技术中静电保护电路中的一个晶体管发生故障，整个静电保护电路将失去保护功能的问题。

为此，本实用新型提供一种静电保护电路，其中，至少包括第一晶体管和第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；

所述第一晶体管的漏极、所述第三晶体管的漏极分别与所述第二晶体管的栅极导通；

所述第二晶体管的漏极、所述第四晶体管的漏极分别与所述第三晶体管的栅极导通；

所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的源极导通；

所述第四晶体管的栅极与所述第三晶体管的源极导通。

其中，还包括用于连接到外部电路的第一接线端和第二接线端；

所述第一晶体管的源极、栅极以及所述第二晶体管的源极与所述第一接线端导通；

所述第四晶体管的源极、栅极以及所述第三晶体管的源极与所述第二接线端导通。

其中，所述静电保护电路还包括：第五晶体管，所述第五晶体管的漏极与所述第四晶体管的栅极导通，所述第五晶体管的源极与所述第四晶体管的源极导通。