[实用新型]石墨预热片、半导体预热装置、硅芯炉及磷检炉有效
申请号: | 201120418638.9 | 申请日: | 2011-10-28 |
公开(公告)号: | CN202323120U | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 曹泽俊;刘华 | 申请(专利权)人: | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00;C30B15/14;C30B13/18;C30B13/28;C30B15/20;H01L21/67 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 338000 江西省新余*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨 预热 半导体 装置 硅芯炉 磷检炉 | ||
1.一种石墨预热片,其特征在于:所述石墨预热片包括本体,所述本体上设置有多个通孔。
2.如权利要求1所述的石墨预热片,其特征在于:所述本体为圆片状结构,所述多个通孔在靠近所述本体的边缘处密集,在靠近所述本体的圆心处稀疏。
3.如权利要求1所述的石墨预热片,其特征在于:所述石墨预热片还包括操纵柄,所述操纵柄与所述本体连接且该二者处于同一平面内。
4.一种半导体预热装置,位于硅芯炉内部,包括高频线圈,其特征在于:还包括与所述高频线圈同轴设置的石墨预热片,所述石墨预热片包括本体,所述本体上设置有多个通孔。
5.如权利要求4所述的半导体预热装置,其特征在于:所述本体为圆片状结构,所述多个通孔在靠近所述本体的边缘处密集,在靠近所述本体的圆心处稀疏。
6.如权利要求4所述的半导体预热装置,其特征在于:所述石墨预热片还包括操纵柄,所述操纵柄与所述本体连接且该二者处于同一平面内。
7.如权利要求4所述的半导体预热装置,其特征在于:所述半导体预热装置还包括预热片抽离装置,所述预热片抽离装置包括控制杆,所述控制杆一端伸出所述硅芯炉,所述控制杆的另一端与所述石墨预热片固定连接。
8.如权利要求4所述的半导体预热装置,其特征在于:所述高频线圈连接有一功率监测仪,可实时监测所述高频线圈的输出功率。
9.一种单次可拉制多根硅芯的硅芯炉,包括籽晶固定装置和炉体,其特征在于:所述硅芯炉还包括如权利要求4~8任一项中所述的半导体预热装置,炉体内放置有棒状母料,所述半导体预热装置位于所述籽晶固定装置和母料之间,对所述母料进行预热。
10.一种磷检炉,包括炉腔,炉腔内放置有棒状硅料,其特征在于:还包括如权利要求4~8任一项中所述的半导体预热装置,所述半导体预热装置设置于所述炉腔内,对所述硅料进行预热。
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