[实用新型]半导体元件及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，具备：

第1导电型的半导体基板；

第1导电型的第1碳化硅半导体层，位于所述半导体基板的主面上；

第2导电型的体区域，与所述第1碳化硅半导体层的表面相接，且位于所述第1碳化硅半导体层内；

第1导电型的杂质区域，位于所述体区域内；

第1导电型的第2碳化硅半导体层，与所述体区域及所述杂质区域相接，且配置于所述第1碳化硅半导体层的表面；

所述第2碳化硅半导体层上的栅绝缘膜；

所述栅绝缘膜上的栅电极；

第1欧姆电极，与所述杂质区域电连接；和

第2欧姆电极，设置于所述半导体基板的背面，

所述第2导电型的体区域包括：与所述第2碳化硅半导体层的表面相接的第1体区域；和介于所述第1体区域与所述第1碳化硅半导体层之间的第2体区域，

从垂直于所述半导体基板的主面的方向来看，所述第2体区域的外周的上端部分与所述第1体区域的外周一致。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述第2体区域的外周的下端部分朝向所述第2体区域的底面倾斜。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

在所述第1体区域内形成第2导电型的接触区域，

所述第1欧姆电极与所述接触区域电连接，

所述接触区域贯通所述第1体区域，并与所述第2体区域相接。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述第1体区域在垂直于所述半导体基板的主面的方向上具有至少15nm的厚度，所述第2体区域在垂直于所述半导体基板的主面的方向上具有至少100nm的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于， 

所述体区域包括第1导电型的杂质和第2导电型的杂质，所述第2导电型的杂质的浓度高于所述第1导电型的杂质的浓度。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述第1体区域的底面位于比所述杂质区域的底面更靠向所述半导体基板侧的位置。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述杂质区域的底面位于比所述第1体区域的底面更靠向所述半导体基板侧的位置。

8.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

介于所述栅电极与所述第1体区域之间的所述第2碳化硅半导体层的区域是沟道区域。

9.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述第2碳化硅半导体层，和所述杂质区域以及所述第1碳化硅半导体层中的与所述第1体区域相邻的区域电连接，且配置在所述第1体区域上。

10.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述第2碳化硅半导体层仅包括所述第1导电型的杂质。

11.一种半导体装置，包括多个权利要求1至10的任意一项所述的半导体元件，其特征在于，

多个所述半导体元件的所述半导体基板及所述第1碳化硅半导体层分别相互连接。