[实用新型]双向直流电机驱动集成电路

权利要求书

1.一种双向直流电机驱动集成电路，包括控制芯片(20)及与控制芯片(20)连接的H桥开关电路，所述双向直流电机驱动集成电路包括正转输入端、反转输入端、正输出端、负输出端、电源正极及电源负极，所述H桥开关电路连接在所述电源正极和电源负极之间，包括互相连接的第一至第四开关芯片(12-15)，所述控制芯片(20)包括：

启动电路(19)，连接至所述正转输入端和反转输入端以接收正转输入信号和/或反转输入信号；

驱动电路(11)，用于接收所述正转和/或反转信号并连接至所述H桥开关电路的各开关芯片，所述H桥开关电路连接所述正输出端以及所述负输出端，所述驱动电路根据接收的正转信号或反转信号控制各开关芯片(12-15)的导通或关断状态，以控制所述正输出端输出正转控制信号或控制所述负输出端输出反转控制信号；

电源偏置电路(9)，连接所述启动电路(19)以接收启动信号，并产生第一参考电压Vds；

过温检测保护电路(10)，用于接收所述第一参考电压Vds并产生随温度的上升而升高的检测电压，当所述检测电压的温度大于所述第一参考电压Vds时输出过温信号给所述驱动电路(11)，以控制所述驱动电路(11)关断所述H桥开关电路；

过流检测电路，接收第二参考电压Vreft以及所述H桥开关电路的工作电流产生的电压，并对接收的电压进行比较，当所述H桥开关电路的工作电流产生的电压大于第二参考电压Vreft时输出过流信号；以及

关断及延迟启动电路(16)，用于接收所述过流信号，所述关断及延迟启动电路(16)根据接收的过流信号控制所述驱动电路(11)关断所述H桥开关电路并在延迟预设的时间后重新开通所述H桥开关电路。

2.如权利要求1所述的双向直流电机驱动集成电路，其特征在于，所述控制芯片(20)和所述H桥开关电路封装在一起形成一种具有多个引脚的封装结构，所述多个引脚平均分布在所述封装结构的两侧，所述多个引脚包括所述正转输入端、反转输入端、正输出端、负输出端、电源正极及电源负极。

3.如权利要求1所述的双向直流电机驱动集成电路，其特征在于，所述封装结构的其中两个引脚相连形成所述正输出端，所述封装结构其中的另外两个引脚相连形成所述负输出端。

4.如权利要求1所述的双向直流电机驱动集成电路，其特征在于，所述封装结构为双列直插式封装结构、或双侧引脚扁平封装结构。

5.如权利要求1所述的双向直流电机驱动集成电路，其特征在于，还包括时序控制电路(18)，所述时序控制电路(18)用于接收所述正转输入信号和反转输入信号，并根据接收的信号输出时序信号给所述驱动电路(11)，所述驱动电路(11)根据所述时序信号控制所述H桥开关电路的关断或开启状态。

6.如权利要求5所述的双向直流电机驱动集成电路，其特征在于，所述正转输入端和时序控制电路(18)之间还连接有第一放大器，所述反转输入端和时序控制电路(18)之间还连接有第二放大器。

7.如权利要求1所述的双向直流电机驱动集成电路，其特征在于，所述第三、第四开关芯片(14、15)内各集成有一个NMOS管，所述第一、第二开关芯片(12、13)内各集成一个PMOS管，所述第一、第四开关芯片(12、15)中的NMOS管和PMOS管的漏极相连接后连接所述正输出端，所述第三、第四开关芯片(13、14)中的NMOS管和PMOS管的漏极相连接后连接所述负输出端，所述第一、第二开关芯片(12、13)中两个PMOS管的源极连接电源正极，所述第三、第四开关芯片(14、15)中两个NMOS管的源极连接电源负极，所述第一至第四开关芯片(12-15)中的NMOS管和PMOS管的栅极均连接至所述驱动电路(11)。

8.如权利要求7所述的双向直流电机驱动集成电路，其特征在于，所述过流检测电路包括一个或两个过流检测比较器(17)，所述H桥开关电路的工作电流产生的电压包括所述第三开关芯片中的NMOS管的源极和漏极之间的电压以及所述第四开关芯片中的NMOS管的源极和漏极之间电压。

9.如权利要求1所述的双向直流电机驱动集成电路，其特征在于，所述第二参考电压Vref t随所述双向直流电机驱动集成电路的温度的升高而升高。