[实用新型]一种机构运动系统及其吸能缓冲装置有效
申请号: | 201120420794.9 | 申请日: | 2011-10-29 |
公开(公告)号: | CN202473868U | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 胡晶;高云峰 | 申请(专利权)人: | 深圳市大族激光科技股份有限公司;深圳市大族数控科技有限公司;深圳市大族光电设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
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地址: | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 机构 运动 系统 及其 缓冲 装置 | ||
【技术领域】
本实用新型涉及一种运用在光电或半导体加工行业的机构运动系统及其吸能缓冲装置。
【背景技术】
用在光电或半导体加工行业中,普遍用于引线键合机器中来实现运动部件。而应用到引线键合机上的定位平台速度越来越高,从之前的运动加速度6~12g(g=9.81m/s2),发展到达到12~20g的加速度,甚至更高,这就要求作为限位保护的机械装置具有很强的冲击吸能效果,避免由于失控或者一些偶发因素导致意外碰撞,能够最大可能的降低碰撞造成的元器件损坏。
目前,一般使用油压缓冲器,如图1所示,其包括活塞1、第一缸室2、溢流管路3、第二缸体4、复位弹簧5,其工作原理为当冲击加载在活塞1时,活塞1压缩,储存在第二缸体4的油性介质通过溢流管路3回流到第一缸室2内,在整个过程中,通过复位弹簧5的阻尼力,同时依靠第一缸室2和第二缸体4的压差,实现缓冲的功能,传统缓冲装置由于原理和结构的限制,存在有缓冲行程长,零件较多,可靠性降低,使用次数有限,结构不够紧凑等弊端。
【实用新型内容】
在光电或半导体加工行业中,由其是对引线键合设备的高速运动部件的实现机械限位保护。
本实用新型提供一种机构运动系,其包括线性滑台、运动导轨、对所述线性滑台进行限位保护的吸能缓冲装置以及驱动线性滑台运动的动力装置。
其中,所述的吸能缓冲装置包括至少一个吸能缓冲部件,其设置在线性滑台的高速运动驶向方向端。
其中,所述的吸能缓冲部件包括吸能缓冲体和固定座。
其中,所述的吸能缓冲体为HANENITE橡胶,其加速度峰值为1580m/s2,收缩秒数400us。
其中,所述的固定座包括固定端和连接端,所述固定端固定所述吸能缓冲体的位置;所述固定端为一凹形结构,其内沿与吸能缓冲体相对应,吸能缓冲体夹设在该凹形结构。
其中,吸能缓冲装置包括两个吸能缓冲部件,其分别设在所述运动导轨的两端。本实用新型还提供一种如上述所述的吸能缓冲装置。
本实用新型的有益效果是:
在机构运动系统中,由其是较高速的机构运动系统中,由于在运动的端点设置一设置具有HANENITE橡胶作为体吸能缓冲体,能够有效地吸收瞬间高速冲击的能量,有效避免工作台精密部件在刚性碰撞中的损坏,摆脱了机械结构的缺陷,该缓冲装置能够实现很小的体积尺寸,类比于传统的油压缓冲器,具有更紧凑的体积尺寸。
【附图说明】
下面参照附图结合实施方式对本实用新型作进一步的描述。
图1为现使用的缓冲装置的示意图;
图2为本实用新型实施例提供的机构运动系统示意图;
图3是本实用新型实施例提供的吸能缓冲装置示意图。
【具体实施方式】
为本实用新型的目的、技术方案以及效果更清楚表达,下面结合附图及实施例对本实用新型进一步说明。但应当理解,此处所描述的实施例仅用于解释本实用新型,并不用于限制本实用新型。
在光电或半导体加工行业中,由其是对引线键合设备的高速运动部件的实现机械限位保护。
具体地,本实用新型的实施例提供一种机构运动系统,其包括线性滑台1000、运动导轨2000、对线性滑台1000限位保护的吸能缓冲装置3000以及驱动线性滑台1000运动的动力装置4000。
在本实施例中,动力装置4000包括动子4100和定子4200,该动力装置4000为直线电机。
在本实施例中,吸能缓冲装置3000包括至少一个吸能缓冲部件3100,其设置在线性滑台1000的高速运动驶向方向端。
由于本引线键合设备的运动机构进行线性往复的高速运动,因此,在本实施例中,吸能缓冲装置3000包括两个吸能缓冲部件3100,其分别设在运动导轨2000的两端。
在本实施例中,该吸能缓冲部件3100包括吸能缓冲体3110和固定座3120,其两部分可以是粘合固定、螺纹固定、螺钉固定等固定方式,或者是当中的两种方式的结合。
在本实施例中,吸能缓冲体3110为高阻尼、低回弹性的合成橡胶,也可以是其他具有高阻尼、低回弹性特性的其他吸能材料或零件,如压缩弹簧等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造