[实用新型]一种白光LED外延结构、白光LED芯片结构有效
| 申请号： | 201120420813.8 | 申请日： | 2011-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN202259400U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李玉芝;吉爱华;祝菡菡 | 申请（专利权）人： | 潍坊广生新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08 |
| 代理公司： | 潍坊正信专利事务所 37216 | 代理人： | 张曰俊 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 白光 led 外延 结构 芯片 | ||
1.一种白光LED外延结构，包括外延片，其特征在于：所述外延片包括从下至上依次设置的ZnS衬底、GaN过渡层、第一N-GaN接触层、掺杂Si和Zn的In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱发光层、第一P-GaN接触层、N-GaN级联层、第二N-GaN接触层、掺杂Si和Zn的In0.49Ga0.51N/GaN多量子阱发光层和第二P-GaN接触层。
2.如权利要求1所述的一种白光LED外延结构，其特征在于：所述ZnS衬底的厚度为50～200um。
3.如权利要求1所述的一种白光LED外延结构，其特征在于：所述GaN过渡层的厚度为10～100 nm。
4.如权利要求1所述的一种白光LED外延结构，其特征在于：所述第一N-GaN接触层、第二N-GaN接触层的厚度均为200～1000 nm。
5.如权利要求1所述的一种白光LED外延结构，其特征在于：所述掺杂Si和Zn的In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱发光层的厚度为1000～10000nm。
6.如权利要求1所述的一种白光LED外延结构，其特征在于：所述第一P-GaN接触层、第二P-GaN接触层的厚度均为80～600nm。
7.如权利要求1所述的一种白光LED外延结构，其特征在于：所述N-GaN级联层的厚度为100～1000 nm。
8.如权利要求1所述的一种白光LED外延结构，其特征在于：所述掺杂Si和Zn的In0.49Ga0.51N/GaN多量子阱发光层的厚度为1000～10000nm。
9.一种白光LED芯片结构，其特征在于：包括权利要求1至8中任一项所述的外延片；所述外延片的第二P-GaN接触层上设置有P电极， N-GaN接触层上设置有N电极。
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