[实用新型]具有自充电场电极的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一掺杂类型的漂移区；

所述漂移区与器件区之间的结；以及

所述漂移区中的至少一个场电极结构，所述至少一个场电极结构包括：

场电极；

场电极电介质，与所述场电极邻接并布置在所述场电极与所述漂移区之间，并且具有开口；以及

场终止区，具有所述第一掺杂类型并且比所述漂移区更重掺杂，所述场终止区通过所述场电极电介质的开口将所述场电极连接至所述漂移区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场终止区至少部分地布置在所述场电极电介质内。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述场终止区完全布置在所述场电极电介质内。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场电极包括具有所述第一掺杂类型且比所述漂移区更重掺杂的半导体材料。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述场电极和所述场终止区具有相同掺杂浓度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场电极包括金属和多晶半导体材料之一。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括布置在所述场电极与所述场终止区之间的接触区。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场终止区将所述场电极与所述漂移区完全分离。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场电极的部分与所述漂移区邻接。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述场电极包括金属和多晶半导体材料中的至少一个。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件具有电流流动方向，并且所述场终止区不沿与所述电流流动方向垂直的方向延伸至所述场电极电介质之外多于200nm进入所述漂移区。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件具有电流流动方向，并且所述场终止区不沿与所述电流流动方向垂直的方向延伸至所述场电极电介质之外。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场电极电介质具有沿着所述半导体器件的电流流动方向延伸的长度并具有沿与所述电流流动方向垂直的方向延伸的宽度，并且其中所述长度与所述宽度之比高于1、高于5或高于10。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场电极电介质的开口位于所述漂移区与所述器件区之间的结的方向上。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个场电极结构包括屏蔽区，所述屏蔽区被布置为沿所述半导体器件的电流流动方向远离所述场电极电介质的开口。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：多个场电极结构，被布置为沿所述半导体器件的电流流动方向彼此远离。

17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中所述多个场电极结构中的各个场电极结构的场终止区被实现为使得这些场终止区中的至少一些与相邻场电极结构的场电极电介质邻接。

18.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件是以下MOS晶体管，在所述MOS晶体管中所述器件区是第二掺杂类型的半导体区并形成体区，并且其中所述MOS晶体管还包括：

源极区，其中所述体区布置在所述漂移区与所述源极区之间；

漏极区，其中所述漂移区布置在所述漏极区与所述体区之间；以及

栅电极，被布置为与所述体区相邻并通过栅极电介质与所述体区介质绝缘。

19.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件是以下双极二极管，在所述双极二极管中所述器件区是第二掺杂类型的半导体区并形成发射极区。

20.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件是以下肖特基二极管，在所述肖特基二极管中所述器件区是肖特基区。