[实用新型]一种大功率MOSFMT模块

说明书

技术领域

本实用新型属于一种大功率MOSFMT模块。

背景技术

在直流无刷多相电机的驱动和控制器设计中，大功率MOSFMT模块多使用T0.220封装的MOSFMT管并联并排连接方式安装在PCB线路板上。MOSFMT管分为上、下桥臂管，电源线和电机线之间并联的MOSFMT称做上桥臂管，电源地线和电机线之间并联的MOSFMT称做下桥臂管，上下桥臂管串成一线焊接在陶瓷PCB上，MOSFMT管的散热片成一平面压紧贴在散热器上。并联的上桥臂管的源极连接并联的下桥臂管的漏极；由于上、下桥臂管一般各由多封装的MOSFMT管并联而成，现有技术中一般来说，MOSFMT管安装在陶瓷PCB板一侧，把MOSFMT管的散热片贴在陶瓷PCB板侧面的铝散热器上，用螺钉固定，加工和更换都比较麻烦；MOSFMT管并联密植连接方式时，存在安装压紧固定、有效散热和抗电磁干扰的问题。

实用新型内容

本实用新型为了解决直插型的MOSFMT器件并联密植连接方式时，存在的上述问题，在经过对现有方式和应用做过详细分析，对现有技术中MOSFMT管的安装连接方式做出重大改进，具体技术方案如下：

一种大功率MOSFMT模块，包括PCB线路板，PCB线路板上设置有MOSFMT管、电容和电阻；所述MOSFMT管的散热器、所述PCB线路板是采用相同的材料一体成型；所述散热器内开设有冷却风道，该冷却风道的进风口设置有微型风扇，所述MOSFMT管包括一半导体衬底；第一型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；高浓度第一型掺杂的漏极接触区，位于所述第一型掺杂阱中；第二型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；第二型基区，位于所述第二型掺杂阱中，掺杂深度比所述第二型掺杂阱浅；高浓度第一型掺杂的源极区，位于所述第二型基区中；栅极区，和所述第一型掺杂阱和第二型基区部分重叠；以及场氧区，位于栅极区和漏极接触区之间；其中，位于栅极区下方的第二型基区中的沟道呈水平结构。

所述的大功率MOSFMT模块，其中，所述散热器是“M″型散热器，MOSFMT管设在“M”型散热器相邻的栅之间。

所述的大功率MOSFMT模块，其中，所述上桥臂管包括1～8个MOSFMT管；下桥臂管包括2--4个MOSFMT管。

所述的大功率MOSFMT模块，其中，所述散热片与散热器采用相同的材料是陶瓷或铝基。

所述的大功率MOSFMT模块，其中，所述电容是电解电容。与现有技术相比，本实用新型结构通过铝型材散热器使MOSFMT管设在陶瓷PCB上达到密植并联方式，并用固定装置使MOSFM管密贴在型材上，加工简单，而且有效解决安装压紧固定和散热的问题。采用2个“M”型散热器时，在上、下桥臂管所在的两个“M”型散热器之问还留出电容的安装位置，使陶瓷PCB上印制线的走线距离短，高、低电压分离；解决了电磁干扰问题。

附图说明

图1是本实用新型实施例的正视图；

图2是本实用新型实施例的侧视图。

具体实施方式

下面结合附图和实例对本实用新型进一步说明。

如图1、图2、所示，一种大功率MOSFMT模块，包括PCB线路板4，PCB线路板4上设置有MOSFMT管2、电容5和电阻；所述MOSFMT管的散热器1、所述PCB线路板是采用相同的材料一体成型；所述散热器内开设有冷却风道，该冷却风道的进风口设置有微型风扇，所述MOSFMT管包括一半导体衬底；第一型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；高浓度第一型掺杂的漏极接触区，位于所述第一型掺杂阱中；第二型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；第二型基区，位于所述第二型掺杂阱中，掺杂深度比所述第二型掺杂阱浅；高浓度第一型掺杂的源极区，位于所述第二型基区中；栅极区，和所述第一型掺杂阱和第二型基区部分重叠；以及场氧区，位于栅极区和漏极接触区之间；其中，位于栅极区下方的第二型基区中的沟道呈水平结构。所述MOSFMT管2的散热片贴在散热器对应的面上用N型卡簧3卡紧，使散热片密贴在散热器对应的面上，达到很好的导热效果。

所述的大功率MOSFMT模块，其中，所述散热器是“M″型散热器，MOSFMT管设在“M”型散热器相邻的栅之间。

所述的大功率MOSFMT模块，其中，所述上桥臂管包括1～8个MOSFMT管；下桥臂管包括2--4个MOSFMT管。

所述的大功率MOSFMT模块，其中，所述散热片与散热器采用相同的材料是陶瓷或铝基。所述MOSFMT管2的散热片贴在散热器对应的面上用N型卡簧3卡紧，使散热片密贴在散热器对应的面上，达到很好的导热效果。