[实用新型]用于准单晶制备的坩埚底板有效
| 申请号： | 201120429255.1 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN202323111U | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张松江;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B35/00 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 缪利明 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 准单晶 制备 坩埚 底板 | ||
【权利要求书】：
1.用于准单晶制备的坩埚底板，其特征在于，包括：
坩埚，所述坩埚为一端开口设计；
坩埚底板，所述坩埚底板设置在所述坩埚的底部；
底板孔座，所述底板孔座设置在所述坩埚底板上；
底板孔，所述底板孔设置在所述底板孔座上；
籽晶，所述籽晶设置在所述底板孔内。
2.根据权利要求1所述的用于准单晶制备的坩埚底板，其特征在于，所述底板孔座均匀分布在所述坩埚底板上。
3.根据权利要求2所述的用于准单晶制备的坩埚底板，其特征在于，所述底板孔座设置之间设有间隙。
4.根据权利要求3所述的用于准单晶制备的坩埚底板，其特征在于，所述底板孔座的上部至下部呈渐变式设计。
5.根据权利要求1所述的用于准单晶制备的坩埚底板，其特征在于，所述底板孔设置在所述底板孔座的中心上端。
6.根据权利要求5所述的用于准单晶制备的坩埚底板，其特征在于，所述底板孔的数量为9至25个。
7.根据权利要求1所述的用于准单晶制备的坩埚底板，其特征在于，所述籽晶断面的形状为规则的多边形或圆形。
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