[实用新型]控制设备和集成在硅芯片中的电路有效
申请号: | 201120429963.5 | 申请日: | 2011-10-25 |
公开(公告)号: | CN202455270U | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | C·阿达格纳 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M1/088 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 设备 集成 芯片 中的 电路 | ||
1.一种控制设备(30),用于控制具有输出直流电流(Iout)的谐振转换器(1)的开关电路(Q1,Q2),所述开关电路(Q1,Q2)至少包括至少第一晶体管(Q1)和第二晶体管(Q2)的半桥,所述第一晶体管和所述第二晶体管连接在输入电压(Vin)和参考电压(GND)之间,所述半桥适于产生用于驱动所述谐振转换器的谐振电路(300)的周期方波电压,所述周期方波电压在对应于所述输入电压的高电压和对应于所述参考电压的低电压之间振荡,所述控制设备(30)包括适于产生用于驱动所述半桥的周期方波信号(Vpwm)的发生装置(6),其特征在于,
所述控制设备包括测量装置,所述测量装置适于测量由所述发生装置(6)产生的所述周期方波信号(Vpwm)和流过所述谐振电路的电流(Is)之间的相移(Φ,VΦ),并且适于当所述相移超过第一相移值(Vth,Φth)时控制所述半桥的截止。
2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述设备包括适于使所述半桥在其截止后再次工作的另一装置(102)。
3.根据权利要求2所述的设备,其特征在于,所述另一装置(102)包括:第一装置(S/H),具有第一输入信号(Vx),所述第一输入信号代表来自所述谐振转换器的输出电压(Vout)和另一参考电压(Vref)之间的差,并且适于通过提供第二信号(Vxc)来对所述第一信号(Vx)进行采样;以及第二装置(CO),适于比较所述第一信号和所述第二信号,并且适于当所述第一信号(Vx)超过所述第二信号(Vxc)预先固定的量时发送所述半桥(Q1,Q2)的激活信号(复位)。
4.根据权利要求3所述的设备,其特征在于,所述第三装置(CO)为磁滞比较器,并且所述预先固定的量是所述比较器的磁滞量。
5.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,适于测量由所述发生装置(6)产生的方波信号(Vpwm)和流过所述谐振电路的电 流(Is)之间的相移(Φ)的所述测量装置(200)包括适于提供代表所述相移的电压信号(VΦ)的另一装置(CO1,XOR,IΦ,RΦ,CΦ),所述电压信号(VΦ)具有作为时间周期(Tz)的函数的值,所述时间周期在达到所述方波信号(Vpwm)的高电压值和流过所述谐振电路的所述电流过零之间,或者在达到所述方波信号(Vpwm)的低电压值和流过所述谐振电路的所述电流过零之间;所述测量装置包括比较装置,用于比较所述电压信号(VΦ)和代表所述第一相移值(Φth)的第一电压值(Vth)。
6.根据权利要求5所述的设备,其特征在于,所述另一装置(CO1,XOR,IΦ,RΦ,CΦ)包括:比较器(CO),在输入端具有代表流过所述谐振电路(300)的电流(Is)的第一信号(Vs)和接地(GND),并适于检测所述第一信号(Vs)的过零;异或门(XOR),在输入端具有所述周期方波信号(Vpwm)和所述比较器的输出信号(ZCD),并适于发出仅在所述时间周期(Tz)内具有高逻辑电平的输出信号(X),所述时间周期(Tz)在达到所述方波电压(Vpwm)的高电压值和流过所述谐振电路的所述第一信号(Vs)过零之间或者在达到所述方波信号(Vpwm)的低电压值和所述第一信号(Vs)过零之间,自所述异或门输出的信号(X)适于驱动电压发生器(IΦ,RΦ,CΦ),所述电压发生器用于仅当所述异或门的所述输出信号(X)处于高逻辑电平时产生所述电压信号(VΦ)。
7.根据权利要求6所述的设备,其特征在于,所述电压信号(VΦ)在电容器(CΦ)两端产生,所述控制设备(30)包括适于在所述半桥(Q1,Q2)的一个截止和另一个截止之间的时间间隔期间阻止处于特定水平(Vtol)以下的所述电容器(CΦ)的放电的装置(109)。
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