[实用新型]基于耐高电压跨接器的灭磁保护电路及耐高电压跨接器有效
| 申请号： | 201120429973.9 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN202406081U | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 李宇俊 | 申请（专利权）人： | 东方电气集团东方电机有限公司;东方电机控制设备有限公司 |
| 主分类号： | H02P9/12 | 分类号： | H02P9/12;H02H7/06 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 詹永斌;钱成岑 |
| 地址： | 618000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 电压 跨接器 保护 电路 | ||
1.一种耐高电压跨接器，其特征在于，包括二极管、可控硅、电阻与触发控制器，所述二极管数量为至少1只，可控硅的数量为1只，电阻的数量为二极管与可控硅数量之和，触发控制器数量为1；
所述二极管与可控硅依次串联，且各个二极管的极性朝向一致；
各二极管及可控硅的两端分别并联有一只电阻，
所述触发控制器与可控硅的控制端连接。
2.根据权利要求1所述的一种耐高电压跨接器，其特征在于，所述二极管为电流为3500A、正反向阻断电压为5200V的二极管。
3.根据权利要求1所述的一种耐高电压跨接器，其特征在于，所述可控硅为电流为3500A、正反向阻断电压为5200V的可控硅。
4.根据权利要求1所述的一种耐高电压跨接器，其特征在于，所述各个电阻为阻值为10KΩ的均压电阻。
5.基于耐高电压跨接器的灭磁保护电路，包括励磁整流装置、磁场断路器、发电机磁场绕组与耗能元件，其中励磁整流装置、磁场断路器与发电机磁场绕组串联成回路，其特征在于，还包括耐高电压跨接器；所述耐高电压跨接器与耗能元件串联后一同并联于发电机磁场绕组的两端；
所述耐高电压跨接器包括二极管、可控硅、电阻与触发控制器，所述二极管数量为至少1只，可控硅的数量为1只，电阻的数量为二极管与可控硅数量之和，触发控制器数量为1；
所述二极管与可控硅依次串联，且极性朝向一致；
各二极管及可控硅的两端分别并联有一只电阻；
所述触发控制器与可控硅的控制端连接。
6.根据权利要求5所述的灭磁保护电路，其特征在于，具有至少1个所述耐高电压跨接器，各个耐高电压跨接器相互并联后再与耗能元件串联。
7.根据权利要求6所述的灭磁保护电路，其特征在于，所述耐高电压跨接器的一端与发电机磁场绕组的正极相连，另外一端与耗能元件的一端相连，耗能元件的另一端与发电机磁场绕组的负极相连，耐高电压跨接器中的二极管的正极均朝向发电机磁场绕组的正极。
8.根据权利要求5或6或7所述的灭磁保护电路，其特征在于，所述耐高电压跨接器中的二极管为电流为3500A、正反向阻断电压为5200V的二极管。
9.根据权利要求5或6或7所述的灭磁保护电路，其特征在于，所述耐高电压跨接器中的可控硅为电流为3500A、正反向阻断电压为5200V的可控硅。
10.根据权利要求5或6或7所述的灭磁保护电路，其特征在于，所述耐高电压跨接器中的各个电阻为阻值为10KΩ的均压电阻。
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