[实用新型]一种改善硅片表面刻蚀水膜的装置有效

专利信息
申请号: 201120431268.2 申请日: 2011-11-03
公开(公告)号: CN202323030U 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 张恒;徐照;刘凯;罗存义;李富强;匡成国;徐涛;李质磊;盛雯婷;张凤鸣 申请(专利权)人: 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司
主分类号: C23F1/08 分类号: C23F1/08;C30B33/10;H01L31/18
代理公司: 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 代理人: 李高峡
地址: 610200 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 改善 硅片 表面 刻蚀 装置
【权利要求书】:

1.一种改善硅片表面刻蚀水膜的装置,硅片(2)在若干滚轮(3)支承下移动,滚轮上方有喷淋管(1),其特征在于:滚轮(3)中有高位滚轮(4),高位滚轮(4)对硅片(2)的支承点高于前后滚轮(3)的支承点。

2.根据权利要求1所述的改善硅片表面刻蚀水膜的装置,其特征在于:所述高位滚轮(4)与前后滚轮(3)的高度差小于或等于10mm。

3.根据权利要求1所述的改善硅片表面刻蚀水膜的装置,其特征在于:所述喷淋管(1)位于高位滚轮(4)上方。

4.根据权利要求1所述的改善硅片表面刻蚀水膜的装置,其特征在于:所述高位滚轮(4)的直径大于前后滚轮(3)。

5.根据权利要求1所述的改善硅片表面刻蚀水膜的装置,其特征在于:所述高位滚轮(4)是在滚轮(3)上加装橡胶圈。

6.根据权利要求1所述的改善硅片表面刻蚀水膜的装置,其特征在于:所述高位滚轮(4)是安装位置高于前后滚轮(3)。

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