[实用新型]一种抗总剂量辐射效应的倒比例或小比例NMOS管版图结构

权利要求书

1.一种抗总剂量辐射效应的倒比例NMOS管版图结构，包括半导体基板及位于所述半导体基板上的有源区（1）；其特征是：所述半导体基板的有源区（1）内淀积有多晶栅（2），所述有源区（1）内对应淀积形成多晶栅（2）的两端内分别设置源端注入保护环及漏端注入保护环，在所述源端注入保护环与漏端注入保护环内通过离子注入分别形成源端（3）及漏端（15）；所述源端（3）及漏端（15）均被多晶栅（2）包围，且源端（3）与漏端（15）间通过多晶栅（2）隔离。

2.根据权利要求1所述的抗总剂量辐射效应的倒比例NMOS管版图结构，其特征是：所述多晶栅（2）呈条形，多晶栅（2）的一端设置栅极引出端（19），所述栅极引出端（19）延伸出有源区（1）外，且栅极引出端（19）对应于与多晶栅（2）相连的另一端设置栅极接触孔（4）。

3.根据权利要求1所述的抗总剂量辐射效应的倒比例NMOS管版图结构，其特征是：所述源端（3）内设置源端接触孔（16）。

4.根据权利要求1所述的抗总剂量辐射效应的倒比例NMOS管版图结构，其特征是：所述漏端（15）内设置漏端接触孔（18）。

5.根据权利要求1所述的抗总剂量辐射效应的倒比例NMOS管版图结构，其特征是：所述有源区（1）内设置注入保护环（5），所述注入保护环（5）覆盖有源区（1）及所述有源区（1）内多晶栅（2）的端部边缘，且注入保护环（5）延伸环绕出有源区（1）的外圈；有源区（1）内设置衬底电位接触孔（17）。

6.一种抗总剂量辐射效应的小比例NMOS管版图结构，包括半导体基板及位于所述半导体基板上的有源区（1）；其特征是：所述半导体基板的有源区（1）内淀积有多晶栅（2），所述有源区（1）对应淀积形成的多晶栅（2）内分别设置源端注入保护环及漏端注入保护环，在有源区（1）的源端注入保护环与漏端注入保护环内通过离子注入分别形成源端（3）及漏端（15），所述源端（3）及漏端（15）均被有源区（1）内的多晶栅（2）包围，且源端（3）与漏端（15）间通过多晶栅（2）隔离。

7.根据权利要求6所述的抗总剂量辐射效应的小比例NMOS管版图结构，其特征是：所述多晶栅（2）呈方形，所述源端（3）及漏端（15）对称分布于多晶栅（2）的两侧；多晶栅（2）上设置栅极引出端（19），所述栅极引出端（19）从多晶栅（2）上延伸出有源区（1）外，且栅极引出端（19）对应延伸出有源区（1）外的端部设置栅极接触孔（4）。

8.根据权利要求6所述的抗总剂量辐射效应的小比例NMOS管版图结构，其特征是：所述源端（3）内设置源端接触孔（16）。

9.根据权利要求6所述的抗总剂量辐射效应的小比例NMOS管版图结构，其特征是：所述漏端（15）内设置漏端接触孔（18）。

10.根据权利要求6所述的抗总剂量辐射效应的小比例NMOS管版图结构，

其特征是：所述有源区（1）内设置注入保护环（5），所述注入保护环（5）覆盖有源区（1）及所述有源区（1）内多晶栅（2）的端部边缘，且注入保护环（5）延伸环绕出有源区（1）的外圈；有源区（1）内设置衬底电位接触孔（17）。