[实用新型]一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜

权利要求书

1.一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜，包括：

玻璃衬底，

位于玻璃衬底上的硅氧化物，

位于硅氧化物上面的全部晶化的多晶硅层；

位于多晶硅层上的纳米二氧化硅层；

其特征在于，纳米二氧化硅层上蚀刻出多个诱导窗口，多晶硅层形成连续的带状结构。

2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征在于，多个诱导窗口上涂布化学氧化层；该纳米二氧化硅层和化学氧化层上溅射布置镍硅氧化物层，诱导窗口的宽度分别为1微米、3微米或者1-3微米中的一个。

3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征在于，多晶硅层的厚度为45nm，纳米二氧化硅层的厚度为4nm，化学氧化层的厚度为1-2nm。

4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征在于，纳米二氧化硅层的厚度为3纳米、4纳米、5纳米或者6纳米。

5.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征在于，所述硅氧化物为二氧化硅，其厚度为300nm。

6.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征在于，镍硅氧化物厚度分别为7埃、10埃、14埃或者这三者之间的一个厚度。