[实用新型]一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜有效
申请号: | 201120440884.4 | 申请日: | 2011-11-09 |
公开(公告)号: | CN202405261U | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 赵淑云;郭海成;王文 | 申请(专利权)人: | 广东中显科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/786 |
代理公司: | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人: | 苗青盛;王凤华 |
地址: | 528225 广东省佛*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 诱导 多晶 薄膜 | ||
1.一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜,包括:
玻璃衬底,
位于玻璃衬底上的硅氧化物,
位于硅氧化物上面的全部晶化的多晶硅层;
位于多晶硅层上的纳米二氧化硅层;
其特征在于,纳米二氧化硅层上蚀刻出多个诱导窗口,多晶硅层形成连续的带状结构。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜,其特征在于,多个诱导窗口上涂布化学氧化层;该纳米二氧化硅层和化学氧化层上溅射布置镍硅氧化物层,诱导窗口的宽度分别为1微米、3微米或者1-3微米中的一个。
3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜,其特征在于,多晶硅层的厚度为45nm,纳米二氧化硅层的厚度为4nm,化学氧化层的厚度为1-2nm。
4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜,其特征在于,纳米二氧化硅层的厚度为3纳米、4纳米、5纳米或者6纳米。
5.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜,其特征在于,所述硅氧化物为二氧化硅,其厚度为300nm。
6.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜,其特征在于,镍硅氧化物厚度分别为7埃、10埃、14埃或者这三者之间的一个厚度。
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