[实用新型]用于湿法腐蚀及清洗工艺的兆声波换能装置有效
申请号: | 201120444552.3 | 申请日: | 2011-11-10 |
公开(公告)号: | CN202363429U | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 吴仪;李春彦 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/12 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100016 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 湿法 腐蚀 清洗 工艺 声波 装置 | ||
1.一种用于湿法腐蚀及清洗工艺的兆声波换能装置,其特征在于,包括:换能器(1)、振子单元(2)、固定装置(3)、耦合介质层(4)和阻抗变压器(8),所述振子单元(2)通过所述固定装置(3)安装于所述换能器(1)上,所述振子单元(2)与固定装置(3)之间设有所述耦合介质层(4),所述振子单元(2)由所述阻抗变压器(8)的功率输出驱动;所述振子单元(2)包括:至少两个振子组,其中,每个振子组包括至少一个压电晶体振子,每个振子组中的多个压电晶体振子的固有机械振动频率相当。
2.如权利要求1所述的用于湿法腐蚀及清洗工艺的兆声波换能装置,其特征在于,所述每个振子组中的所有压电晶体振子连接同一功率阻抗变压器的次级线圈的输出端。
3.如权利要求1所述的用于湿法腐蚀及清洗工艺的兆声波换能装置,其特征在于,还包括用于安装固定所述振子单元(2)的腔室(5)。
4.如权利要求3所述的用于湿法腐蚀及清洗工艺的兆声波换能装置,其特征在于,所述腔室(5)上设有用于引入气冷流体的入口(6)和用于导出气冷流体的出口(7)。
5.如权利要求1所述的用于湿法腐蚀及清洗工艺的兆声波换能装置,其特征在于,所述压电晶体振子的形状包括:环形、扇形、蜂窝式及其组合。
6.如权利要求1所述的用于湿法腐蚀及清洗工艺的兆声波换能装置,其特征在于,所述耦合介质层(4)包括:熔点为20摄氏度~100摄氏度的胶水层。
7.如权利要求1所述的用于湿法腐蚀及清洗工艺的兆声波换能装置,其特征在于,所述换能器(1)为石英或红宝石换能器。
8.如权利要求1所述的用于湿法腐蚀及清洗工艺的兆声波换能装置,其特征在于,所述压电晶体振子由经极化处理的锆钛酸铅制备而成。
9.如权利要求1所述的用于湿法腐蚀及清洗工艺的兆声波换能装置,其特征在于,所述每个压电晶体振子采用两个或两个以上的兆声频率,其中一个兆声频率工作于压电晶体振子的固有机械振动频率,并且至少一个其他兆声频率在围绕设定中心频率的一定正负频率区间内扫描。
10.如权利要求1所述的用于湿法腐蚀及清洗工艺的兆声波换能装置,其特征在于,所述每个压电晶体振子采用的两个或两个以上的兆声频率的功率输出并分别连接到功率放大器的阻抗变压器的不同的初级线圈,每个频率对应一个初级线圈,每个振子组都有对应其所需不同频率的不同功率放大器和一个合成用的阻抗变压器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七星华创电子股份有限公司,未经北京七星华创电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120444552.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造