[实用新型]一种多晶硅还原炉用变流变压器有效

专利信息
申请号: 201120452236.0 申请日: 2011-11-15
公开(公告)号: CN202523516U 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 魏月刚 申请(专利权)人: 特变电工股份有限公司
主分类号: H01F27/28 分类号: H01F27/28;H01F27/29;H01F27/26;H01F27/245;C01B33/021
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 罗建民;邓伯英
地址: 831100 新疆*** 国省代码: 新疆;65
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摘要:
搜索关键词: 一种 多晶 还原 炉用变 流变
【权利要求书】:

1.一种多晶硅还原炉用变流变压器,包括原边绕组和副边绕组,该变压器为三相变压器,所述原边绕组采用三角形连接,其特征在于,所述副边绕组的三相中的任意一相绕组分裂形成两个绕组,从而使副边绕组形成四个绕组,所述四个绕组相互绝缘,彼此之间独立且无公共端点。

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉用变流变压器,其特征在于,在所述副边绕组的三相中的任意一相绕组沿其轴向分裂所形成两个绕组中,两个绕组的线圈匝数相同,且均为分裂前绕组的匝数的一半。

3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉用变流变压器,其特征在于,所述副边绕组的四个绕组中,每个绕组中包括有若干个抽头,且每个绕组中包括的抽头数相同。

4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉用变流变压器,其特征在于,所述副边绕组的四个绕组中,每个绕组均包括有多个抽头,在所述多个抽头中,其中一个抽头为公共端抽头,若干个抽头为多晶硅还原阶段用调压抽头,另外若干个抽头为打压启动阶段用调压抽头。

5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉用变流变压器,其特征在于,所述多晶硅还原阶段用调压抽头和打压启动阶段用调压抽头分别设置在所述公共端抽头的两侧。

6.根据权利要求1-5之一所述的多晶硅还原炉用变流变压器,其特征在于,原边绕组带有三个及三个以上分接抽头,其调压范围在±10%以内。

7.根据权利要求1-5之一所述的多晶硅还原炉用变流变压器,其特征在于,所述副边绕组采用箔绕的方式制成。

8.根据权利要求1-5之一所述的多晶硅还原炉用变流变压器,其特征在于,所述铁心采用高导磁冷轧取向硅钢片叠装而成,所述铁心的叠片方式采用45°角全斜五级步进叠片。

9.根据权利要求1-5之一所述的多晶硅还原炉用变流变压器,其特征在于,所述铁心采用无穿孔螺杆铁心,并采用拉板及绑扎结构进行固定;所述铁心的磁通密度小于或等于1.4特斯拉。

10.根据权利要求1-5之一所述的多晶硅还原炉变流变压器,其特征在于,该变压器采用干式变压器。

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