[实用新型]一种新型磁控电抗器本体抽头

说明书

技术领域：

本实用新型涉及能源电气领域，具体涉及一种新型磁控电抗器本体抽头。

背景技术：

一般的磁控电抗器，特别是采用光纤控制的磁控电抗器，都是采用7抽头的控制方式，如图1：即可控硅上下之间、左右之间都是对称的，另外有第7抽头是控制电源电压的抽头点。这种方式励磁系统每相需要7根铜排或大线，三相总共需要21根，施工量很大，且另外也会造成励磁系统空间占地较大。

实用新型内容：

本实用新型的目的是提供一种新型磁控电抗器本体抽头，它减少了抽头数目，励磁控制方式简单，工程施工量也大大减小，且完全不影响性能。

为了解决背景技术所存在的问题，本实用新型采取以下技术方案：它包含分裂式铁芯B、上线圈C1、下线圈C2、可控硅T1-可控硅T2、二极管D、第一抽头1、第四抽头4、第五抽头5、第六抽头6和控制电源抽头7，分裂式铁芯B分别绕制有上线圈C1和下线圈C2，上线圈C1上引出有第一抽头1、第五抽头5、第六抽头6和控制电源抽头7，第一抽头1与可控硅T1的阳极相连，可控硅T1的阴极与下线圈C2左上端及第六抽头6相连，第六抽头6分别与二极管D负极、可控硅T2阴极相连，第五抽头5分别与二极管D正极、下线圈C2右上端相连，下线圈C2引出有第四抽头4，第四抽头4与可控硅T2阳极相连。

本实用新型改善了抽头结构，减少抽头数目，简化了控制方式，即将背景技术中的第三抽头3、第二抽头2和第六抽头捏到一起，这样在励磁控制时，更简单，工程施工量大大减小，且完全不影响性能。

附图说明：

图1为背景技术的结构示意图；

图2为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式：

参照图2，本具体实施方式采取以下技术方案：它包含分裂式铁芯B、上线圈C1、下线圈C2、可控硅T1-可控硅T2、二极管D、第一抽头1、第四抽头4、第五抽头5、第六抽头6和控制电源抽头7，分裂式铁芯B分别绕制有上线圈C1和下线圈C2，上线圈C1上引出有第一抽头1、第五抽头5、第六抽头6和控制电源抽头7，第一抽头1与可控硅T1的阳极相连，可控硅T1的阴极与下线圈C2左上端及第六抽头6相连，第六抽头6分别与二极管D负极、可控硅T2阴极相连，第五抽头5分别与二极管D正极、下线圈C2右上端相连，下线圈C2引出有第四抽头4，第四抽头4与可控硅T2阳极相连。

本具体实施方式改善了抽头结构，减少抽头数目，简化了控制方式，即将背景技术中的第三抽头3、第二抽头2和第六抽头捏到一起，这样在励磁控制时，更简单，工程施工量大大减小，且完全不影响性能。